Полностью заполненная валентная зона

Cтраница 1

Полностью заполненная валентная зона в LiNb03 определяется кислородными 2ря - орбиталями. Зона проводимости определяется с. Ширина запрещенной зоны составляет - 370 нм. Полоса поглощения 400 нм связывается в работе [4.34] с переходом Opn - - Fede. Полоса, ответственная за эффект фотопреломления ( 480 нм), приписывается межвалентному переходу Fede - - NbdE. Это предположение не получило в работе [4.34] достаточного обоснования, однако представляется весьма вероятным. Оптический переход dE - dy лежит в инфракрасной области ( 1200 нм) и не играет роли в процессе переноса электронов. [1]

В полностью заполненной валентной зоне с п электронами в каждом из двух противоположных направлений движется одинаковое число электронов с каждой из одинаковых, но противоположно направленных скоростей. Полная сила тока, обусловленная движением электронов, равна нулю. [2]

Если в кристалле полностью заполненная валентная зона отделена от свободной зоны проводимости запрещенной зоной, то в отсутствие внешнего возбуждения ( нагревания, облучения, наложенного внешнего электрического поля) кристалл не электропроводен. Условно считают, что если ширина запрещенной зоны лежит в пределах от сотых долей электронвольта до трех электронвольт, вещество будет полупроводником, если же ширина запрещенной зоны больше 3 эВ, вещество является изолятором. При абсолютном нуле ( Т 0) полупроводники и диэлектрики имеют проводимость, равную нулю. [3]

Если в кристалле полностью заполненная валентная зона отделена от зоны проводимости запрещенной зоной, то в отсутствие внешнего возбуждения ( нагревание, облучение и прочее) кристалл не электропроводен. Изоляторами считают вещества с шириной запрещенной зоны более трех электронвольт. [4]

Схема связей атомов в кристаллической решетке германия ( а и антимонида индия ( б. [6]

Тетраэдрическая структура соответствует полностью заполненной валентной зоне, что придает соединениям элементов III и V либо II и VI групп периодической системы элементов свойства полупроводников. Однако в собственном полупроводнике абсолютная величина концентрации электронов в зоне возбужденных состояний ( так же, как и дырок в валентной зоне) очень мала. Поэтому от таких полупроводников не приходится ожидать интенсивной рекомбинации и, следовательно, излучения на междузонных переходах. Однако путем добавления в кристаллическую решетку собственного полупроводника определенных примесей можно значительно увеличить концентрацию электронов и дырок соответственно в возбужденной и валентной зонах. [7]

В этом выражении первый член представляет энергию полностью заполненной валентной зоны. Второй член представляет кинетическую энергию электронов в зоне проводимости, третий член - - кинетическую энергию электронных дырок в валентной зоне. Следующий член описывает взаимодействие между электронной дыркой и электроном. Стоящие в фигурных скобках матричные элементы W определены в выражении (22.18) и описывают кулоновское взаимодействие и кулоновское обменное взаимодействие. [8]

Вольт-амперная характеристика электронно-дырочного перехода. [9]

В случае, когда электроны зоны проводимости и электроны не полностью заполненной валентной зоны за счет света переходят внутри зоны с одного уровня на другой, происходит поглощение света свободными носителями заряда. [10]

У элементов II группы таблицы Д. И. Менделеева расщепление соответствующих энергетических уровней происходит таким образом, что полностью заполненная валентная зона и полностью свободная зона проводимости перекрываются, образуя одну общую зону, в которой энергетических состояний больше, чем имеющихся электронов. Электроны таких зон могут принимать участие в электропроводности. Этим и объясняется высокая удельная проводимость элементов этой группы. [11]

Если же ширина запрещенной зоны относительно невелика, то при сообщении твердому телу определенного количества энергии часть его электронов может переброситься из полностью заполненной валентной зоны в зону проводимости и принять участие в переносе тока. Подобные вещества называют собственными полупроводниками. [12]

При этом исходная система почти невзаимодействующих блоховских электронов может соответствовать либо металлу с частично заполненной зоной, либо полуметаллу с перекрывающимися зонами, либо полупроводнику с полностью заполненной валентной зоной и пустой зоной проводимости. [13]

Это указывает на то, что поверхностные состояния, соответствующие связям, направленным внутрь, действительно образуются. Можно считать, что эти состояния первоначально находились в полностью заполненной валентной зоне, а затем были вытолкнуты из нее в запрещенную зону. Причем эти поверхностные состояния сохраняют все - свои электроны и поэтому остаются заполненными. Таким образом, они не влияют на пиншшг уровня Ферми. Возможно также, что аналогичные незаполненные состояния отщепляются от дна зоны проводимости. [14]

Электронный энергетический спектр в направлений для четырех соединений со структурой перовскита, полученный Маттейсом. Показаны атомные уровни, лежащие в основе этой зонной структуры. Ss-зояа кислорода расположена при - 16 эВ, что соответствует sp - расщеплению. [15]

Страницы: 1 2