Система - дефект
Cтраница 1
 |
Дефекты кристаллической решетки. [1] |
Система дефектов - слабых мест поверхности детали - является основой, на которой, начиная с самых малых деформаций, развиваются микротрещины. [2]
 |
Изменение относительного сужения при разрыве в зависимости от диаметра гладкого образца. [3] |
Система дефектов материала, выявленная в этой зоне, была ориентирована перпендикулярно ожидаемому направлению распространения трещины. [4]
Способ создания системы внутренних трещино-подобных дефектов / В.Ф. Лукьянов, Ю.Г. Людмирский, В.В. Напрасников, Г.С. Васильченко, Головин, А.С. Коробцов, А.В. Коршун, В.Е. Белый, А.Ф. Гетман / / Там же. [5]
В монокристаллической матрице эта система дефектов охватывает всю диффузионную зону и примыкающие к ней слои матрицы и диффузионного слоя. Для оценки ситуации в поликристаллической матрице необходим учет роли границ как в отдельных зернах, так и в целом для всего диффузионного слоя. Это особенно важно при относительно низких температурах получения диффузионных слоев, когда велика роль массопереноса по границам зерен. Интенсивное проникновение элемента насыщения по этим границам в глубь матрицы приводит к быстрому развитию фронта объемной диффузии за счет обволакивания приповерхностных зерен элементом насыщения. При высоких температурах насыщения роль массопереноса по границам зерен значительно уменьшается и в большинстве случаев им можно пренебречь. [6]
 |
Результаты испытаний статической прочности деталей с сеткой трещин больших размеров. [7] |
Наряду с критериями для системы дефектов необходимо принимать во внимание также условия допустимости изолированного дефекта максимального размера. [8]
Физически это означает иерархическое объединение системы дефектов. Подобно тому как поток j разбивается на дрейфовую и диффузионную составляющие, полный коррелятор (3.125) состоит из атермической S и термофлуктуационной S ( t) компонент. [9]
Указанное выше циклическое поведение присуще системе дефектов, но не самому полю деформации. В отличие от этого в § 4 исследуется ситуация, когда волновой характер может проявлять непосредственно процесс пластической деформации. [10]
Выше было показано, что пространственная самоорганизация системы дефектов при пластической деформации кристаллов может быть представлена как неустойчивость, нарушающая симметрию, и появляется в результате бифуркации термодинамической ветви. Приведены кинетические уравнения, описывающие временное поведение такой системы, содержащие коэффициенты диффузии. Отмечено, что процессы диффузии нельзя рассматривать как носители коллективных мод структурообразования. Отмечалось также, что после первой бифуркации система проявляет множественность решений уравнений состояния, которые возникают при переходе параметра В через критические значения. [11]
При решении контактных задач для областей, имеющих системы дефектов, близко расположенных к границе тел, важно оценить их влияние на напряженное состояние тел вблизи границы. Поскольку в точной постановке даже для регулярной системы дефектов задача является сложной, возникает вопрос: Каким образом учесть влияние системы дефектов, не решая задачу в точной постановке. [12]
Эти же идеи были позже использованы американской промышленностью для разработки системы нулевых дефектов ( Zero defects program) и промышленностью многих зарубежных стран. [13]
 |
Контактные давления под штампом параболической формы при h 1, о ОД и k - 0 1 ( 1, jfc 1 0 ( 2, Jfc 3 0 ( 3 штриховал линия соответствует решению Герца. [14] |
Исследуем характер распределения контактных давлений и внутренних напряжений в полуплоскости, ослабленной системой дефектов, расположенных вдоль линии у - h и имеющих характеристики, описанные в рассмотренном в 4.1.4 примере. [15]
Страницы: 1 2 3 4