Слабое взаимодействие

Cтраница 3

Слабые взаимодействия проявляются между молекулами на расстояниях свыше 0 7 нм и изменяются пропорционально шестой-седьмой степени расстояния между взаимодействующими молекулами. [31]

Слабое взаимодействие [ х-мезонов с ядрами аналогично столь же слабому взаимодействию с ядрами электронов и позитронов, а также нейтрино и антинейтрино. По этому признаку все указанные частицы в настоящее время объединяются в особый класс элементарных частиц, называемых лептонами. [32]

Слабое взаимодействие ответственно за распады ад-ронов и лептонов, стабильных относительно сильного и электромагнитного взаимодействий. Эффективный радиус слабого взаимодействия не превышает 10 - 16 см. Поэтому на больших расстояниях оно существенно слабее электромагнитного, которое, в свою очередь, до расстояний порядка 10 - 13 см слабее сильного взаимодействия. На расстояниях, меньших 10 ld см, слабые и электромагнитные взаимодействия, как выяснилось в последнее время, образуют единое электрослабое взаимодействие. Возможно, что не только слабое и электромагнитное взаимодействия имеют единую природу, но и остальные виды взаимодействия представляют собой проявление некоторого единого фундаментального взаимодействия. [33]

Слабые взаимодействия нарушают этот закон. Сохранение странности приводит к стабильности ( относительно сильных взаимодействий) каонов и наименее массивных гиперонов, которые распадаются в результате слабого или электромагнитного ( 2 -гиперон) взаимодействия. [34]

Слабое взаимодействие нарушает и эту последнюю симметрию; для слабых взаимодействий сохраняются только строгие квантовые числа: лептонный, бариошшй и электрический заряды, а также момент количества движения. [35]

Дифференциальное сечение Комптол-эффскта. [36]

Слабые взаимодействия, я-мезоны играют весьма важную роль и в физике слабых взаимодействий. Кроме того, влияние сильных взаимодействий на слабые в значительной степени определяется я-мезонным полем. Изучение этого влияния находится лишь в самой начальной стадии. [37]

Слабое взаимодействие между слоями, имеющее металлический характер, обусловлено наличием некоторой концентрации свободных валентных электронов. Модификация ( i-урана имеет сложную тетрагональную слоистую структуру, сходную со структурой о-фазы. Она построена из двух типов плоских слоев с особой гексагональной упаковкой, разделенных соединительными волнистыми слоями с малой плотностью упаковки. В гексагональных слоях часть атомов имеет четырех соседей на расстоянии 2 59 А, а часть - по три соседа на несколько большем расстоянии. Это указывает на сохранение сильных двухэлектронных ковалентных связей в слоях, образованных разделением пар электронов, и на разрыв одной из связей вследствие термической ионизации. Обе низкотемпературные модификации вследствие наличия ковалентных связей отличаются пониженной пластичностью и сильной анизотропией свойств. Объемно-центрированная кубическая структура f - урана, типичная для большинства металлов, весьма пластична ввиду разрушения сильных валентных связей при повышении температуры. Вследствие электронной концентрации 3 эл / атом она более пластична, чем р-модификации титана, циркония и гафния ( 4 эл / атом), но более прочна, нежели щелочноземельные металлы, у которых концентрация составляет 2 эл / атом. [38]

Слабые взаимодействия, существующие между молекулами в газовой фазе, объединяют под общим термином вандерваалъсовы. Они включают взаимодействия: диполь-диполь, заряд-диполь, за ряд-индуцированный диполь, диполь-индуцированный диполь и индуцированный диполь-индуцированный диполь. Распределение электронов в данный момент времени в молекуле, не обладающей постоянным дипольньш моментом, не является совершенно однородным, в связи с чем в каждый данный отрезок времени молекула обладает некоторым переменным дипольным моментом. Эти осцилляции диполей приводят к возникновению сил притяжения - лондонов-ских дисперсионных сил. [39]

Слабые взаимодействия между нейтральными молекулами, проявляющиеся на расстояниях, превосходящих размеры частиц, были впервые обнаружены голландским ученым Ван-дер - Ваальсом. В связи с этим силы, вызывающие подобного рода взаимодействия, называют вандерваальсо-выми силами. Силам Ван-дер - Ваальса приписывают электростатическую природу. Обычно в зависимости от природы системы выделяют три составляющие вандерваальсовых сил: ориента-ционную, индукционную и дисперсионную. [40]

Слабое взаимодействие 4 / - АО с лигапдами приводит к тому, что практически вся 4 / - конфигурация оказывается несвязывающей или слабосвязывающей, в отличие от d - элементов, в которых все d - AO могут образовывать сильно связывающие МО и наличие несвязывающих d - AO обусловлено лишь особенностями симметрии молекулы. [41]

Слабое взаимодействие характерно для всех частиц, кроме фотона. [42]

Слабые взаимодействия имеют место при распадах элементарных частиц и бета-распадах ядер. Интенсивность взаимодействия характеризуется константой / 2 / ftc - 10 - 13, где / имеет смысл заряда, соответствующего гипотетическому полю слабых взаимодействий. Соответствующие процессы называются медленными и протекают за времена порядка 10 - 8 - г - 10 - 10 сек. [43]

Слабое взаимодействие - наиболее медленное из всех взаимодействий, протекающих в микромире. [44]

Слабое взаимодействие характеризуется последовательным способом организации вычислений и запретом рекурсивных вызовов. Способ наиболее прост в реализации и получил развитие в ряде языков программирования. Наиболее известным языком подобного типа является ФОРТРАН. [45]

Страницы: 1 2 3 4