Дырочная зона - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Если Вас уже третий рабочий день подряд клонит в сон, значит сегодня среда. Законы Мерфи (еще...)

Дырочная зона

Cтраница 1


Дырочные зоны можно сделать сферическими, положив в J / BL кубический член, пропорциональный, равным нулю.  [1]

Электронные и дырочные зоны, которые в отсутствие примесей разделены щелью 2д, уширяются в континуум, состоящий из двух зон делокализо-ванных состояний, разделенных зоной локализованных состояний. Малые изменения плотности электронов перемещают уровень Ферми внутри зоны локализованных состояний, а дополнительные квазичастицы захватываются примесными центрами. Как и в обычном квантовом эффекте Холла, разупорядоченность, способная локализовать все состояния, приводит к разрушению эффекта.  [2]

Изучение теоретически рассчитанной формы дырочной зоны в направлении с на рис. 2.3.6 показывает, что при k 0 верхние уровни в зоне заняты. Хотя о такой аномалии и сообщалось ( см, разд. Холла на высокоом-ных материалах настолько трудны, что пока не существует единого мнения по поводу достоверности этих наблюдений.  [3]

Такая ситуация имеет место для дна дырочной зоны в алмазе, кремнии и германии, которые все имеют решетку одинакового типа.  [4]

В литературе электронную зону нередко называют просто зоной проводимости, а вместо дырочной зоны говорят о валентной зоне, которая в основном состоянии кристалла полностью заполнена электронами. Возникновение пары квазичастиц - электрона и дырки - рассматривается при этом как результат перехода электрона из валентной зоны в зону проводимости с оставлением дырки на покидаемом месте.  [5]

6 Включение триода п-р - п и его условное обозначение.| Принцип устройства полупровод - стинки технологически никового фотоэлемента. обрабатывают так, ЧТО. [6]

В триоде р-п - р основанием является электронный полупроводник, в нем созданы две дырочные зоны, которые не сообщаются между собой, но находятся на очень малом удалении одна от другой.  [7]

Однако оно оказывается весьма существенным в случае вырожденных зон ( каковы, например, дырочные зоны в германии и кремнии), когда оно вызывает дополнительное расщепление уровней, снижая тем самым степень вырождения. Подчеркнем, что этот результат, будучи основан лишь на свойствах симметрии, не ограничен рамками стандартной зонной теории ( в которых он был получен), а в качественной форме остается в силе и в многоэлектронной теории полупроводников.  [8]

9 Кривые квантового выхода генерации дырок в хризене ( ] и антрацене ( 2 в зависимости от энергии фотонов Лш при фотовозбуждении дырок в напыленном слое золота на контакте. Кривая поглощения ( 3 соответствует слою золота, напыленного на стеклянную пластинку, закрепленную в контакте с кристаллом антрацена. Для антрацена и хризена кривые квантового выхода приведены к постоянному числу поглощенных фотонов. Приводится также ненормированный пик квантового выхода для пери-лена ( 4. [9]

Вильяме и Дреснер [414] сообщали о фотоинжекции в зонах горячих дырок ( см. разд. Однако тщательно проведенные исследования Герса и Виллига [119] свидетельствуют о том, что фотоэмиссия дырок в органические кристаллы из оптически возбужденных электродов переводит дырку в обычную узкую зону, и не требуется никаких широких или дополнительных дырочных зон для объяснения этих результатов. Схема эксперимента [119] показана на рис. 2.5.36. Слой золота.  [10]

Электронная подвижность возможна только в том случае, если имеются вакантные уровни, на которые можно возбудить электрон. То же самое относится и к дыркам в отношении валентной зоны. Число уровней энергии на единичный энергетический интервал ( плотность состояний) в электронных и дырочных зонах зависит в основном от химического состава и кристаллической структуры твердого тела. Однако способ заселения этих уровней от химической природы твердого тела не зависит.  [11]

Вместе с тем, в отсутствие точных расчетов я предположил, что энергетические поверхности вырожденной при k 0 дырочной зоны будут очень сильно гофрированы и не дадут продольному магнитосопротивлению вдоль направлений [100] стать равным нулю, как это наблюдалось для р-кремния.  [12]

В типичных полупроводниках с концентрацией носителей п 1018 см - 3 s - d - взаимодействие заключается во влиянии упорядоченных спинов на систему носителей, в то время как сама спиновая система в основном такая же, как и в магнитных диэлектриках. Обменное s - d - взаимо-действие приводит к двум важным обстоятельствам. Во-первых, снимается спиновое вырождение и зона проводимости, а также дырочная зона расщепляется на две подзоны с различной ориентацией спина.  [13]

14 Спектры инфракрасного поглощения GaAs р-типа ( концентрация дырок равна 2 7 101 см 3 при четырех различных температурах. hh, Hi и so - зоны тяжелых, легких и спин-отщепленных дырок соответственно. На вставке схематически изображены переходы между спин-отщепленной дырочной зоной ( so и зонами тяжелых ( hh и легких ( Hi дырок, а также между последними двумя зонами. [14]

В оптическом переходе, изображенном на рис. 6.34, начальное и конечное состояния электрона находятся в одной и той же зоне. Поэтому результирующее поглощение на свободных носителях называется внутризонным. Межзонное поглощение на свободных носителях может происходить, если зона, содержащая носители, отделена от другой пустой зоны на величину, меньшую ширины запрещенной зоны. На вставке к рис. 6.36 схематически показаны два таких перехода между спин-отщепленной дырочной зоной ( so) и зонами тяжелых ( hh) и легких ( lh) дырок в полупроводниках типа алмаза и цинковой обманки с р-типом легирования. Три широких пика при 0 15, 0 31 и 0 42 эВ были идентифицированы переходы lh - hh, so - lh и so - - hh соответственно.  [15]



Страницы:      1    2