Cтраница 1
Магнитное обменное взаимодействие, в которое, как мы видели, входит составляющая, обусловленная наличием анизотропии, может благоприятствовать ориентации пар атомов в сплавах в направлении магнитного поля, приложенного во время термической обработки. Такой тип процессов при термомагнитной обработке назван направленным упорядочением. Направленное упорядочение наилучшим образом иллюстрирует фиг. АВ, АА и ВВ не зависит от присутствия магнитного поля, тогда как анизотропия в направлении поля может быть изменена: вдоль направления поля будет ориентировано больше одинаковых пар, чем в перпендикулярном направлении. Этот вид упорядочения, создаваемый отжигом при подходящей температуре ниже точки Кюри материала, имеет место внутри доменов вещества, так что в каждом домене на обычную магнитную кристаллографическую анизотропию накладывается одноосная анизотропия вследствие магнитного упорядочения. [1]
Магнитное обменное взаимодействие, в которое, как мы видели, входит составляющая, обусловленная наличием анизотропии, может благоприятствовать ориентации пар атомов в сплавах в направлении магнитного поля, приложенного во время термической обработки. Такой тип процессов при термомагнитной обработке назван направленным упорядочением. Направленное упорядочение наилучшим образом иллюстрирует фиг. АВ, АА и ВВ не зависит от присутствия магнитного поля, тогда как анизотропия в направлении поля может быть изменена: вдоль направления поля будет ориентировано больше одинаковых пар, чем в перпендикулярном направлении. Этот вид упорядочения, создаваемый отжигом при подходящей температуре ниже точки Кюри материала, имеет место внутри доменов вещества, так чх в каждом домене на обычную магнитную кристаллографическую анизотропию накладывается одноосная анизотропия вследствие магнитного упорядочения. [2]
Однако магнитное обменное взаимодействие не совсем изотропно и связано с кристаллографическими направлениями в образце. Установлено, что легкость, с которой достигается намагниченность насыщения, различна при намагничивании вдоль различных направлений в кристалле ( фиг. Еслш в решетке имеется одно какое-либо преимущественное направление, например, если она гексагональная или тетрагональная, возникает очень сильная анизотропия обменной энергии и часто наблюдается отчетливо выраженное преимущественное магнитное направление ( фиг. Вполне понятно, что определение магнитной анизотропии может явиться чувствительным показателем структуры кристалла. Энергия намагничивания и энергия анизотропии изменяются с температурой, и в точке Кюри анизотропия, так же как и намагниченность, естественно, исчезает. [3]
Теория магнитных обменных взаимодействий: обмен в изо: ляторах и полупроводниках. [4]
Теория магнитных обменных взаимодействий: обмен в изо -: ляторах и полупроводниках. [5]
Однако этим роль магнитного и обменного взаимодействия между ионами не ограничивается. Подобно тому, как в блоховской модели ферромагнетика один ориентированный влево спин в совокупности правых спинов приводит к образованию спиновой волны, так и в рассматриваемой нами системе возбужденный ионный уровень не локализуется в определенном месте решетки. [6]
Энергетический спектр спиновой системы обязан своим существованием, во-первых, взаимодействию между спинами и внутри-кристаллическим электрическим полем и, во-вторых, магнитному и обменному взаимодействию между магнитными моментами отдельных ионов решетки. Состояние изолированного иона обычно является вырожденным. Благодаря взаимодействию магнитного момента с электрическим полем решетки это вырождение либо понижается, либо вовсе снимается. Согласно фундаментальной теореме Крамерса, вырождение снимается полностью только при четном числе электронов. Если число электронов в ионе нечетное, то остается по крайней мере двукратное вырождение, которое может быть снято магнитным взаимодействием между ионами. [7]
Атомы элементов, обладающих ферромагнитными св-вами, имеют внутренние незаполненные электронные слои, а также отношение диаметра атома в кристаллич. Однако между электронами имеется также и магнитное взаимодействие, препятствующее параллельному расположению электронных спинов, В результате взаимно противоположного действия сил магнитного и обменного взаимодействия в кристалле ферромагнитных тел возникают области - домены объемом 10-в - 10 - 8 см3, внутри каждого домена имеет место созданная обменным взаимодействием самопроизвольная намагниченность. Под влиянием магнитного взаимодействия направления намагниченности соседних доменов различны. [8]
Атомы элементов, обладающих ферромагнитными св-вами, имеют внутренние незаполненные электронные слои, а также отношение диаметра атома в кристаллпч. Однако между электронами имеется также и магнитное взаимодействие, препятствующее параллельному расположению электронных спинов, В результате взаимно противоположного действия сил магнитного и обменного взаимодействия в кристалле ферромагнитных тел возникают области-домены объемом 10-в - 10 - 8 см3, внутри каждого домена имеет место созданная обменным взаимодействием самопроизвольная намагниченность. Под влиянием магнитного взаимодействия направления намагниченности соседних доменов различны. [9]
Атомы элементов, обладающих ферромагнитными св-вами, имеют внутренние незаполненные электронные слои, а также отношение диаметра атома в кристаллич. Однако между электронами имеется также и магнитное взаимодействие, препятствующее параллельному расположению электронных спинов, В результате взаимно противоположного действия сил магнитного и обменного взаимодействия в кристалле ферромагнитных тел возникают области-домены объемом 10 - 6 - 10 - 8 см3, внутри каждого домена имеет место созданная обменным взаимодействием самопроизвольная намагниченность. Под влиянием магнитного взаимодействия направления намагниченности соседних доменов различны. [10]
Атомы элементов, обладающих ферромагнитными св-вами, имеют внутренние незаполненные электронные слои, а также отношение диаметра атома в кристаллич. Однако между электронами имеется также и магнитное взаимодействие, препятствующее параллельному расположению электронных спинов. В результате взаимно противоположного действия сил магнитного и обменного взаимодействия в кристалле ферромагнитных тел возникают области-домены объемом 10-в - 10 - 8 см3, внутри каждого домена имеет место созданная обменным взаимодействием самопроизвольная намагниченность. Под влиянием магнитного взаимодействия направления намагниченности соседних доменов различны. [11]
Другим взаимодействием, которое, как предполагают, обусловливает сверхпроводимость, является магнитное взаимодействие между электронами. Такие взаимодействия могут быть учтены в приближении Хартри путем включения магнитных нолей электронных токов как самосогласованных. Электронные токи определяются магнитным полем и в свою очередь дают вклад в поле. Однако неясно, насколько необходимо принимать во внимание специфические магнитные взаимодействия между отдельными электронами. Отметим, что Уэлкор [18] пытался развить теорию сверхпроводимости на основе магнитных обменных взаимодействий. [12]