Разрешенная зона

Cтраница 4

В ряде случаев разрешенные зоны перекрываются, и тогда соответствующая запрещенная зона может отсутствовать. Такое перекрытие всегда имеет место в верхней части спектра, поскольку верхние уровни в отдельном атоме расположены весьма близко друг к другу. В результате энергетический спектр твердого тела содержит единую верхнюю зону и полное число зон в отличие от числа уровней в атоме оказывается конечным. [46]

Схема энергетических 1з - и 2-уровней металлического твердого лития, наложенные на график зависимости потенциальной энергии Р от расстояния х вдоль линии ядер А., А2, А3.| Расщепление энергетических.| Строение полосы энергетических уровней в металле.| Элементарная ячейка структуры твердого лития. [47]

На схеме показаны разрешенные зоны, где электрон может занимать свободные уровни, и зоны так называемых запрещенных значений энергии, где нет свободных уровней. [48]

Расположение энергетических зон в зависимости от расстояния между атомными частицами твердого тела R. Rz. Rs.| Энергетические зоны в проводнике ( а, полупроводнике ( б и изоляторе ( в. [49]

Следующая за ней разрешенная зона называется зоной проводимости. [50]

Превращение разрешенных энергетических уровней отдельного атома в разрешенные энергетические зоны твердого тела. [51]

В ряде случаев разрешенные зоны перекрываются, и тогда соответствующая запрещенная зона может отсутствовать. Такое перекрытие всегда имеет место в верхней части спектра, поскольку верхние уровни в отдельном атоме расположены весьма близко друг к другу. В результате энергетический спектр твердого тела содержит единую верхнюю зону, и полное число зон в отличие от числа уровней в атоме оказывается конечным. [52]

Две элементарные ячейки решеток полупроводниковых соединений ( д, с - постоянные решетки. а - ячейка решетки вюрцита CdS, ZnS и т.д.. б - ячейка решетки каменной соли ( PbS, PbTe и т.д.| Зоны Бриллюэна для решетки алмаза. Показаны главные точки и линии симметрии.| Структура энергетических зон Ge, Si и GaAs ( Eg - запрещенная зона. [53]

Эти состояния образуют разрешенные зоны с энергиями выше и ниже этой энергетической щели. Верхнюю разрешенную энергетическую зону называют зоной проводимости, а нижнюю - валентной. Расстояние между дном зоны проводимости и потолком валентной зоны называют шириной запрещенной зоны. Валентная зона в кристаллах со структурой цинковой обманки состоит из четырех подзон, если пренебречь спином в уравнении Шредингера, с учетом спина каждая зона дублируется. Три из четырех подзон вырождены при k - О ( Г - точка) и образуют верхний край зоны, а четвертая - дно зоны. Спин-орбитальное взаимодействие частично снимает вырождение при k - 0 и приводит к отщеплению одной подзоны. Как видно из рис. 15.4, две оставшиеся подзоны у потолка валентной зоны можно аппроксимировать параболическими зависимостями с различной кривизной. [54]

Свободная зона - разрешенная зона полупроводника, в которой отсутствуют электроны проводимости при абсолютном нуле температуры. [55]

Как зависит ширина разрешенной зоны от степени связи электрона с ядром. [56]

В низших точках разрешенных зон E ( k) имеет минимумы, а вторая производная от Е по k больше нуля. Очевидно, разложение энергии в степенной ряд (2.43) и формула (2.44) справедливы только вблизи экстремальных точек. Понятие эффективной массы имеет более широкие границы применимости и может быть введено исходя из принципа соответствия. [57]

Для перехода электрона внутри разрешенной зоны требуется весьма малая энергия. [58]

Зоны получили названия разрешенной зоны проводимости и запрещенной зоны. [59]

Электрон в зоне. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5