Рекомбинационное взаимодействие

Cтраница 1

Схема электронных переходов ( отмечены цифрами при внешнем тушении ( тушитель - глубокая электронная ловушка Т. [1]

Здесь происходит рекомбинационное взаимодействие примесных центров, обладающих обычно эффективными зарядами противоположных знаков. [2]

Рассмотренный процесс рекомбинационного взаимодействия между центрами свечения двух типов имеет еще одно важное следствие, которое должно учитываться при изучении физической химии кристаллофосфоров; в случае рекомбинационной люминесценции по интенсивности полосы излучения, вообще говоря, нельзя определить концентрацию соответствующих центров свечения. Лишь при особо благоприятных условиях, когда можно принять, что имеет место квазиравновесие между валентной зоной и уровнями центров, удается установить корреляцию между отношением концентраций двух типов центров свечения и отношением интенсивно-стей соответствующих полос. [3]

Если зависимость Ф ( х), построенная по реальной выборке, связана с эффективностью протекания обменных эмых обменных процессов, то аналогичная зависимость, построенная по выборке псевдокластеров, уже не связана с обменными процессами, так как рекомбинационное взаимодействие удаленных друг от друга ПП маловероятно. [4]

Схема электронных переходов ( отмечены цифрами при внешнем тушении ( тушитель - глубокая электронная ловушка Т. [5]

Допустим, теперь, что центр В является центром тушения. Это означает, что рекомбинация захваченной им дырки с электроном происходит без излучения, или, как говорят, безы-злучательно. В результате доля поглощенной энергии, превращающаяся в испускаемый люминофором свет, уменьшается - происходит тушение, которое называется внешним, поскольку оно связано с переходами вне центра свечения. Из того, что было сказано о рекомбинационном взаимодействии двух типов центров, ясно, что доля безызлучательных переходов будет расти с увеличением температуры и уменьшением интенсивности возбуждения, причем на послесвечение тушители должны оказывать большее действие, чем на свечение в процессе возбуждения. Это имеет ряд важных следствий, широко используемых в практике синтеза технических кристалло-фосфоров. Так, введением в ZnS-Ag и ZnS CdS-Ag - люминофоры незначительного количества, порядка 10 - 5 - 10 - 6 %, такого тушителя, как никель, удается резко снизить послесвечение. [6]

Поэтому мигрирующая по кристаллу дырка очень непродолжительное время остается в валентной зоне, легко захватываясь одним из центров свечения. На зонной схеме ( см. рис. 8, а) такой процесс изображается стрелкой, направленной вниз, поскольку захват дырки отвечает переходу электрона в валентную зону. Возникающая в результате ситуация ничем не отличается от той, какая имеет место при поглощении возбуждающего света непосредственно центрами свечения. Это отвечает тому факту, что спектр излучения не зависит от энергии квантов возбуждающего света. Существенно, однако, что теперь учитывается процесс обмена электронами между центрами и валентной зоной. Это позволяет перейти к рассмотрению весьма важного и характерного для кристаллофосфоров явления - - рекомбинационного взаимодействия между центрами различных типов, теория которого базируется на так называемой модели Риля - Шена - Класенса. [7]

Страницы: 1