Cтраница 4
Смещение выходных статических характеристик вверх в выбранной системе координат при увеличении тока эмиттера соответствует принципу действия транзистора. [46]
Смещение входных статических характеристик вниз в выбранной системе координат при увеличении абсолютной величины напряжения на коллекторе объясняется тем, что напряжение на коллекторе влияет на концентрацию носителей около него и изменяет толщину базы из-за изменения толщины коллекторного перехода. [48]
![]() |
Статические характеристики передачи тока транзистора, включенного по схеме с общей базой.| Статические характеристики обратной связи транзистора, включенного по схемэ с общей базой. [49] |
Смещение выходных статических характеристик вверх в выбранной системе координат при увеличении тока эмиттера соответствует принципу действия транзистора. [50]
Смещение входных статических характеристик вверх в выбранной системе координат при увеличении абсолютного значения напряжения на коллекторе связано с уменьшением общего количества неосновных носителей в базе ( заштрихованные площади на рис. 4.13, б) и, следовательно, с уменьшением количества рекомби-нирующих носителей. Поэтому уменьшается составляющая тока базы, обусловленная рекомбинацией, при постоянном напряжении между базой и эмиттером. [51]
Влияние реакции конденсации проявляется ( в выбранной системе координат) в снижении содержания свободного фенола и существовании максишльной степени замещеняя формальдегидом. [52]
Определим координаты точек приложения сил в выбранной системе координат. [53]
Это и есть уравнение гиперболы в выбранной системе координат. [54]
Полученное уравнение является уравнением параболы в выбранной системе координат. [55]