Спиральная система

Cтраница 2

Предположим, однако, что спиральные системы слоев не ограничены определенными участками поверхности, а могут распространяться и на территории друг друга. Тогда та система слоев, которая растет быстрее, может вторгаться в соседние, медленно растущие районы, так что рост грани переходит под контроль одной спирали. И при условии, что единичная спираль вызывает одну и ту же скорость роста в разных районах грани ( при разных пересыщениях), вся грань сможет расти с одинаковой скоростью. Такой механизм, по-видимому, вполне удовлетворяет условию плоскогранного роста. Однако кажется весьма проблематичным, чтобы существующие экспериментальные данные подтвердили предположение о том, что грани больших кристаллов обычно растут посредством единичных спиральных систем слоев. [16]

Рассмотрим некоторые частные случаи возбуждения конкретных спиральных систем. [17]

Положение наиболее характерных ветвей в спиральных системах удовлетворительно согласуется с законом Тициуса. [18]

Из всего прочитанного я узнал, что моя спиральная система возникла не на пустом месте. [19]

Кроме обычной одиночной спирали широко применяются другие типы спиральных систем, такие, например, как биспираль, связанные спирали, спираль с внутренним проводником, радиальная спираль, спираль в канавке, спираль в магнитодиэлек - трике, в цилиндрическом экране, спираль, окруженная тонкопленочным сопротивлением, и др. Большинство этих систем с успехом рассчитывается методом спирально-проводящего Цилиндра. Поэтому мы начнем с рассмотрения именно этого метода. [20]

Разные участки кристалла не могут находиться под контролем независимых спиральных систем ступеней. [21]

В противоположность требованию пункта 2 оказывается, что если единичная спиральная система слоев переходит из участка с более высоким пересыщением на участок с более низким пересыщением, скорость роста не будет той же самой на обоих участках. Скорость роста, однако, остается постоянной, если спиральная система слоев переходит из участка с низким пересыщением на участок С более высоким пересыщением. [22]

Предложены основания систематизации, на базе которых впервые построена пространственная спиральная система атомов вещества, одна из проекций которой интерпретируется как плоская спиральная система химических элементов, свободная от недостатков, присущих табличным вариантам. [23]

Конструкция электрического зоида. [24]

Этим же зондом проведено исследование большого количества различного типа спиральных систем ( см. гл. Кроме дисперсии зонд с высокоомной подводкой позволяет измерять сопротивление связи. Идея метода измерения [11] состоит в том, что одним и тем же зондом измеряют поле в волноводе и в замедляющей системе при одном и том же уровне проходящей мощности. В указанном ранее сообщении эта идея была развита для случая произвольного согласования волновода с замедляющей системой и применена для зондов с высокоомной подводкой. [25]

Конвекция усиливает радиальные диполи магнитного поля и способствует образованию трех-пятирукавных спиральных систем. Преимущественное образование общего поля с центральным пиполем проявляется в большей распространенности двухрукав-ных спиральных систем. [26]

В четвертой главе исследуются вопросы возбуждения собственных волн в многозаходных спиральных системах, без решения которых невозможно проанализировать влияние условий возбуждения на характеристики - излучения соответствующих антенн. [27]

Предположим, что эти две области растут за счет двух разных спиральных систем слоев. Согласно этим уравнениям скорость роста есть функция Др. Следовательно, поскольку Ар для обеих областей различно, скорости роста также будут различными, и грань кристалла не будет плоской. Отсюда следует, что грань кристалла не может оставаться плоской, если ее рост происходит за счет более чем одной спирали, и каждая спираль обслуживает только свою территорию. [28]

В генераторах на ЛБВ с внутренней обратной связью в качестве цепи обратной связи используется основная замедляющая спиральная система. Обратная связь осуществляется за счет энергии отраженной волны, полученной вследствие неполного согласования замедляющей системы с выходным волноводом лампы. В самовозбуждении таких генераторов обратная волна участия не принимает, так как поглощается в специальных поглощающих вставках. [29]

Зная закономерность заполнения электронных оболочек ( с учетом появления отклонений от нее) и общую структуру спиральной системы, место химического элемента без труда может быть определено по его максимальной теоретической ( а не фактической. Ориентиром же в последовательности размещения лантаноидов и актиноидов служит непрерывная тенденция. Так, следуя друг за другом, они ложатся каждый в свой валентный сектор. [30]

Страницы: 1 2 3 4