Cтраница 2
Особое место в импульсно-потенциальной системе элементов занимает импульсно-потенциальная схема совпадения, построенная на импульсном трансформаторе. ДТК имеет два входа, на один из которых подается потенциальный сигнал Хп, а на другой - импульсный Хи. На выходе такой схемы импульсный сигнал появляется только при совпадении во времени Ха и Х, причем потенциальный сигнал сохраняет свое значение на входе в течение всего тата. Понятно, что это обстоятельство значительно упрощает синхронизацию, так как нет необходимости строго фиксировать момент поступления импульсных сигналов. [16]
Рассмотрим кратко особенности выполнения логических операций в импульсно-потенциальной системе элементов на дискретных радиокомпонентах. [17]
Рассмотрим основные виды схем, используемых в предлагаемой импульсно-потенциальной системе элементов: од-нодиодную одностабильную схему, выполняющую функцию ИЛИ, двухдиодную одностабильную схему И и запоминающую ячейку. [18]
Однако, исходя из общих свойств систем элементов, можно качественно сравнить аппаратные затраты для типовых узлов обработки информации следующим образом: реализация типовых узлов в потенциальной системе элементов потребует приблизительно в полтора раза больше аппаратуры, чем их реализация в импульсной или импульсно-потенциальной системе элементов. [19]
Потенциальные элементы, построенные на дискретных радиокомпонентах, отдельно или совместно с импульсными давно используются в различных цифровых устройствах. Объясняется это в первую очередь тем, что технология микроэлектроники не позволяет пока производить достаточно качественные конденсаторы больших емкостей и индуктивности, необходимые для построения импульсно-потенциальных систем. Современные логические элементы потенциальной системы - это прежде всего изделия микроэлектроники, поэтому кратко рассмотрим основные методы микроминиатюризации. [20]
К недостаткам этого вида связи можно отнести сравнительно большое время восстановления, обусловленное процессом заряда конденсатора С, а также трудность выполнения с помощью интегральной технологии конденсаторов большой емкости, что затрудняет микроминиатюризацию ключевых схем с емкостной связью. Необходимо также иметь в виду, что при емкостной связи только одно состояние схемы, когда первый ключ заперт, может продолжаться сколь угодно долго, а время существования другого определяется параметрами цепи связи. Поэтому в отличие от непосредственной, резистивной и резистивно-емкостной связи, применяемых как в импульсных, так и в потенциальных системах, емкостная связь пригодна только для импульсных и лишь в некоторых случаях для импульсно-потенциальных систем. [21]