Cтраница 1
Движущийся зонд разрушает его. [1]
![]() |
Перечень свойств полупроводниковых материалов, получаемых при измерении основных параметров. [2] |
Для каких целей используют метод движущегося зонда. [3]
![]() |
Принцип метода движущегося зонда. [4] |
На рис. 10.9 показан принцип метода движущегося зонда. [5]
![]() |
СхемьГвключения катодного осциллографа. а - при осциллографн. [6] |
Укажем еще на осциллографирование токов и напряжения в цепи движущегося зонда, быстро пересекающего разрядный промежуток в поперечном направлении. Этот способ находит применение, когда длительное пребывание зонда в области разрядного промежутка могло бы вызвать разрушение зонда. [7]
![]() |
Принципиальная ( а и структурная ( б схемы метода движущегося зонда. [8] |
Разрешающая способность зависит также от площади и качества контакта движущегося зонда с образцом. Контакт выполняют с помощью катящегося по образцу стального шарика. На рис. 153, б показана структурная схема для измерения распределения удельного сопротивления на переменном токе методом движущегося зонда. Высокое входное сопротивление первого каскада измерительной схемы обеспечивает достаточно малую величину тока через измерительный зонд для исключения вклада паразитного переходного сопротивления контакта зонд - полупроводник. [9]
Разрешающая способность зависит также от площади и качества контакта движущегося зонда с образцом. Контакт выполняют с помощью катящегося по образцу стального шарика. На рис. 153, б показана структурная схема для измерения распределения удельного сопротивления на переменном токе методом движущегося зонда. Высокое входное сопротивление первого каскада измерительной схемы обеспечивает достаточно малую величину тока через измерительный зонд для исключения вклада паразитного переходного сопротивления контакта зонд - полупроводник. [10]
В описанных выше методиках измерения р предполагалось, что материал образца однороден. В физических исследованиях и различных технологических процессах микроэлектроники возникает необходимость измерения распределения удельного сопротивления в неоднородных образцах. Улучшение разрешающей способности, таким образом, требует уменьшения параметра s четырехзондовой головки, что вызывает значительное увеличение погрешности измерений. Разрешающая способность при измерениях р двухзондовым методом определяется расстоянием между зондами / и при той же погрешности измерения может быть несколько лучше. Принципиальная схема метода движущегося зонда показана на рис. 153, а. [12]
В описанных выше методиках измерения р предполагалось, что материал образца однороден. В физических исследованиях и различных технологических процессах микроэлектроники возникает необходимость измерения распределения удельного сопротивления в неоднородных образцах. Улучшение разрешающей способности, таким образом, требует уменьшения параметра s четырехзондовой головки, что вызывает значительное увеличение погрешности измерений. Разрешающая способность при измерениях р двухзондовым методом определяется расстоянием между зондами / и при той же погрешности измерения может быть несколько лучше. Принципиальная схема метода движущегося зонда показана на рис. 153, а. [14]