Cтраница 3
На динодах ФЭУ в качестве вторично-эмиссионных материалов применяются соединения типа SbCs3 и окисленные сплавы AIMg, AgMg, CuMg, CuBe. В настоящее время получены и начали использоваться в ФЭУ материалы на основе соединений А3В5 ( в частности, GaP ( Cs)), имеющие значительно больший коэффициент вторичной, эмиссии. [31]
На динодах ФЭУ в качестве вторично-эмиссионных материалов применяются соединения типа SbCs3 и окисленные сплавы AlMg, AgMg, CuMg, CuBe. [32]
![]() |
Устройство динодов коробчатой ( а и тороидальной ( б форм. [33] |
Часто встречаются диноды коробчатой, торовидной, жалюзийной и других форм. [34]
![]() |
Фотоэлектронный умножитель. [35] |
Напряжение на диноды подается таким образом, чтобы между каждой парой соседних динодов создавалось электрическое поле, ускоряющее электроны от предыдущего динода к последующему. Из-за некоторого рассеяния не все электроны, эмиттированные одним динодом, попадают на другой. [36]
![]() |
Схема и принцип действия фотоэлектронного умножителя. [37] |
Попадая на первый динод, каждый электрон выбивает с его поверхности некоторое количество вторичных электронов. Эти электроны в свою очередь, ускоряясь напряжением, приложенным между первым и вторым динодами, выбивают с поверхности второго динода еще большее количество электронов. Таким образом, поток эмитированных электронов от дннода к диноду нарастает и на последнем электроде фотоумножителя ( на аноде) появляется в миллионы и миллиарды раз большее число электронов, чем их вылетело с фотокатода. Эти электроны создают в цепи фотоумножителя импульс электрического напряжения или тока, который и поступает в счетно-измерительное устройство. [38]
Источник питания динода шунтирован сопротивлением не менее 1.5 ком. [40]
Источник питания динода шунтирован сопротивлением не менее 1 5 ком. [41]
После каждого динода поток электронов увеличивается за счет вторичных электронов динода, освобождаемых ударами электронного потока. А, называемого в фотоэлектронных умножителях коллектором, оказывается во много раз больше потока фотоэлектронной эмиссии катода. Благодаря такому внутреннему усилению чувствительность фотоэлектронных умножителей чрезвычайно высока и достигает 1 - 10 А / лм. [42]
![]() |
Блок-схема формирования импульса методом сложения импульсов разной полярности.| Принципиальная схема формирования. [43] |
Благодаря наличию динода создаются возможности генерирования импульсов обеих полярностей без применения трансформаторов. [44]
![]() |
Конфигурация динодов электронного умножителя.| Вид сверху и поперечное сечение симметричного умножителя и сетки.| Действие фотопроводящей поверхности в видиконе. [45] |