Положительный скачок - потенциал
Cтраница 1
Положительный скачок потенциала [ 7к1 передается через конденсатор Сг на базу транзистора Га и поддерживает его в запертом состоянии. [1]
По наблюдениям Кенрика, многие органические вещества дают значительный положительный скачок потенциала: наружный слой более положителен, чем внутренняя часть двойного слоя, как э о имеет место для большинства нерастворимых огганических соединений. Большая часть приводимых ниже результатов принадлежит Фрумкмну. [2]
Следовательно, частица НСО, подобно хемосорбиро-ванному кислороду, создает положительный скачок потенциала на границе платина-электролит. [3]
На рис. 13, б представлен случай, когда вследствие положительного скачка потенциала на этой границе уровень энергии поверхностных атомов увеличился на zqpF по сравнению с исходным состоянием. Согласно рис. 13, полное расстояяие переброса а складывается из отрезка а - от дна левой потенциальной ямы до вершины барьера и отрезка 32 - от вершины барьерь до дна пра: вой потенциальной ямы. [4]
 |
Кривые потенциальной энергии поверхностного. атома металла ( слева и одноименного. [5] |
На рис. 94, б представлен случай, когда вследствие положительного скачка потенциала на этой границе уровень энергии поверхностных атомов увеличился на zyF по сравнению с исходным состоянием. [6]
С - О образует с поверхностью угол, достаточный для создания значительного положительного скачка потенциала. В оргокреюле молекулы, повидимому, сохраняют лежачее положение, аметакрезол занимает промежуточное положение. [7]
Экспоненциальная зависимость может быть объяснена тем, что адсорбция кислорода приводит к изменению строения двойного слоя ( гл. Положительный скачок потенциала в плотной части двойного слоя становится меньше, а следовательно уменьшается и скорость окисления. Изменение скачка потенциала пропорционально количеству адсорбированного кислорода, но скорость процесса экспоненциально зависит от скачка потенциала. Это приводит к экспоненциальной зависимости между количеством адсорбируемого кислорода и скоростью анодного растворения платины. Таким образом, говоря о пассивирующем действии адсорбированного кислорода, нужно иметь в виду, что оно может быть как следствием блокировки поверхности, так и следствием изменения строения двойного слоя. [8]
Зависимость между Ед0 и борг удовлетворительно может быть описана при использовании модели двух параллельных конденсаторов. Смещение потенциала нулевого заряда в положительную сторону означает, что продукт хемосорбции метанола создает положительный скачок потенциала на границе платина / раствор. [10]
При ионизации головных групп скачок потенциала, естественно, весьма сильно изменяется, так как дипольный момент на конце молекулы не может не подвергнуться резкому изменению при образовании пары новых электрических зарядов. Впервые это было замечено Фрумкиным на адсорбционных пленках растворимых соединений ( гл. Так, растворы жирных кислот дают большой положительный скачок потенциала, в то время как растворы их солей характеризуются сравнительно небольшими отрицательными значениями. В адсорбционных планках молекулы ориентированы таким образом, что положительный углеродный ион карбоксила расположен выше отрицательных ионов кислорода, так что, если гидроксил не диссоциирован, то результирующий сильный диполь обращен положительным полюсом вверх. Если же гидроксил ионизован, то возникает дополнительный диполь с положительным ионом внизу и отрицательным кислородом вверху, причем этот диполь не только нейтрализует, но и несколько пересиливает диполя жирной кислоты. [11]
Постоянство ориентации органических диполей на поверхности раствора можно объяснить тем, что углеводородный радикал частично выходит в газовую фазу и органические молекулы представляют собой как бы поплавки, плавающие в вертикальном положении на поверхности раствора. Такая модель, развитая в работах И. Доказательством данной ориентации органических молекул является также тот факт, что введение галоидов в углеводородную часть молекулы органического вещества уменьшает положительный скачок потенциала или изменяет знак А. Ниже приведены значения EN для хлорзамещенных уксусных кислот. [12]
Постоянство ориентации органических диполей на поверхности раствора можно объяснить тем, что углеводородный радикал частично выходит в газовую фазу, и органические молекулы представляют собой как бы поплавки, плавающие в вертикальном положении на поверхности раствора. Такая модель, развитая в работах И. Доказательством данной ориентации органических молекул является также тот факт, что введение галоидов в углеводородную часть молекулы органического вещества уменьшает положительный скачок потенциала или изменяет знак Аф. В табл. 3 приведены значения ф для хлор-замещенных уксусных кислот. [13]
Постоянство ориентации органических диполей на поверхности раствора можно объяснить тем, что углеводородный радикал частично выходит в газовую фазу и органические молекулы представляют собой как бы поплавки, плавающие в вертикальном положении на поверхности раствора. Такая модель, развитая в работах И. Доказательством данной ориентации органических молекул является также тот факт, что введение галоидов в углеводородную часть молекулы органического вещества уменьшает положительный скачок потенциала или изменяет знак А. Ниже приведены значения EN для хлорзамещенных уксусных кислот. [14]
Страницы: 1