Легкое скольжение

Cтраница 1

Исключительно легкое скольжение слоев графита относительно друг друга происходит потому, что между слоями действуют слабые дисперсионные силы. [1]

Концу легкого скольжения соответствует значительная активность вторичных систем скольжения. Влияние частиц второй фазы в ограничении ( или полном отсутствии) стадии / объясняется тем, что эти частицы сильно препятствуют сдвигу первичной системы. Поэтому группы дислокаций, накапливающихся вокруг этих частиц, вызывают раннюю активность вторичных систем. Так как пластическая деформация обусловлена движением дислокаций, то, естественно, что их выход из кристалла разуп-рочняет его. Этот выход считается основной причиной легкого скольжения, чем и объясняется большая чувствительность упрочнения в стадии / к изменению ориентировки [40] ( см. гл. [2]

Стадия легкого скольжения заканчивается образованием достаточно большого количества диполей и связанных с ними трехмерными клубками дислокаций, способствующих возникновению скольжения по системам, пересекающим первичную. Другими словами, существует некоторая критическая плотность дислокаций, по достижению которой скольжение происходит по вторичным системам, что приводит к резкому росту упрочнения за счет взаимодействия пересекающихся дислокаций. При этом плотность дислокаций с увеличением деформации возрастает быстрее, чем линейная функция. Длина свободного пробега дислокаций непрерывно уменьшается, что подтверждается данными об уменьшении длины линий скольжения. На этой стадии упрочнения эффекты динамического возврата незначительны, поэтому деформационное упрочнение, как и на стадии легкого скольжения, соответствует линейному закону, то есть da / ds Е const. Величина Е не зависит от условий растяжения, скорости и температуры испытаний и равна примерно 1О2 G. Таким образом, модуль упрочнения на стадии быстрого упрочнения примерно на два порядка больше, чем на стадии легкого скольжения. Высокая скорость упрочнения объясняется образованием большого количества коротких линий скольжения, дислокации которых создают скопление перед барьерами внутри кристалла. Критическое напряжение, при котором начинается стадия III, сильно зависит от температуры, поскольку поперечное скольжение требует термической активации. [3]

Стадия легкого скольжения заканчивается образованием достаточно большого количества диполей и связанных с ними трехмерными клубками дислокаций, способствующих возникновению скольжения по системам, пересекающим первичную. Другими словами, существует некоторая критическая плотность дислокаций, по достижению которой скольжение происходит по вторичным системам, что приводит к резкому росту упрочнения за счет взаимодействия пересекающихся дислокаций. При этом плотность дислокаций с увеличением деформации возрастает быстрее, чем линейная функция. Длина свободного пробега дислокаций непрерывно уменьшается, что подтверждается данными об уменьшении длины линий скольжения. На этой стадии упрочнения эффекты динамического возврата незначительны, поэтому деформационное упрочнение, как и на стадии легкого скольжения, соответствует линейному закону, то есть dc / de Е const. Величина Е не зависит от условий растяжения, скорости и температуры испытаний и равна примерно 1О2 G. Таким образом, модуль упрочнения на стадии быстрого упрочнения примерно на два порядка больше, чем на стадии легкого скольжения. Высокая скорость упрочнения объясняется образованием большого количества коротких линий скольжения, дислокации которых создают скопление перед барьерами внутри кристалла. Критическое напряжение, при котором начинается стадия III, сильно зависит от температуры, поскольку поперечное скольжение требует термической активации. [4]

Для стадии легкого скольжения характерны невысокая плотность, равномерность и высокая подвижность дислокаций и дислокационных структур. Поэтому на этой стадии деформирования отмечается сравнительно невысокое сопротивление их движению со стороны других дислокаций, степени деформационного упрочнения и локальной перенапряженности металла. Пластическое течение преимущественно реализуется в результате перемещения дислокаций с их выходом на свободную поверхность образца и образованием новых плоскостей скольжения. Стадия легкого скольжения завершается реализацией равномерного распределения дислокаций. При этом скопления дислокаций окружены ячейками дислокаций. Отмеченные закономерности формирования дислокационных структур предопределяют сравнительно низкий уровень упругой энергии в областях кристалла. Подведенная извне энергия почти полностью расходуется на перемещение дислокаций - пластическую деформацию. [5]

На стадии легкого скольжения и заключительной стадии III четко видна тенденция к уменьшению механохимического эффекта. Кроме того, на кривой Аф ( е) ( см. рис. 14) имеется еще одна площадка ( уменьшение эффекта), а на кривой t ( е) ее нет. [6]

Кривая упрочнения кристаллов с ТЦК-решеткой при растяжении. [7]

В стадии легкого скольжения дислокации беспрепятственно перемещаются в плоскости скольжения и многие из них могут выходить на поверхность кристалла. Часть этих дислокаций расположена беспорядочно в виде сетки Франка, остальные - в виде малоугловых границ. На этой стадии скольжение развивается только по одной системе плоскостей, упрочнение мало. [8]

Преодоление препятствия ( А краевой дислокацией путем переползания в другую4 плоскость скольжения. [9]

Однако процесс легкого скольжения дислокаций обычно продолжается недолго, так как в кристалле возникают препятствия, тормозящие их движение. [10]

Заключается и легком скольжении ( глиссандировапии) чт одного звука к другому. [11]

Поэтому здесь стадия легкого скольжения может отсутствовать при любой ориентировке монокристалла. Следует отметить, что закономерности деформационного упрочнения г. к. Это относится в первую очередь к металлам с малым отношением с / а. Кроме того, имеются исключения из тех закономерностей, которые были выше сформулированы. Например, в бериллии ( с / а 1 668) скольжение идет в основном по базисным плоскостям, а монокристаллы рения ( с / а 1 616) имеют очень высокий коэффициент упрочнения на всем протяжении деформации. [12]

Формирование такой структуры обеспечивает легкое скольжение слоев ПТФЭ, низкий уровень касательных напряжений, локализацию их в тончайшем поверхностном слое, следствием чего является снижение интенсивности изнашивания и силы трения. Отсюда следует важный практический вывод о том, что наполнители, повышающие несущую способность и износостойкость фторопласта, должны подбираться так, чтобы не препятствовать образованию ЖКС и не вызывать ограничения подвижности и ориентации молекулярных цепей полимера. [13]

Плотность дислокаций на стадии легкого скольжения растет пропорционально степени деформации. [14]

Однако так как направления наболее легкого скольжения в отдельных кристалликах, вообще говоря, не совпадают, то возникновение скольжения в - таких телах затруднено по сравнению с монокристаллами. Этот эффект проявляется тем в большей мере, чем мельче кристаллы. Поэтому в мелкозернистых телах пластическая деформация возникает при большей деформирующей силе, чем в крупнозернистых. [15]

Страницы: 1 2 3 4