Вакансионное скопление

Cтраница 1

Распухание, полученное в термически обработанной стали 316 и нимонике РЕ 16, облученных при 525 С ионами C с энергией 1 МэВ. / - сталь 316. 2 - нимоник РЕ 16.| Изменение распухания нержавеющих сталей, облученных до 60 смещений на 1 атом. / - термообработанная сталь 321. 2 - тер-мообработанные стали 304 и 316. 3 - холод-нодсформированная сталь 321. [1]

Вакансионные скопления ( кластеры), которые несут ответственность за объемные изменения в металлах, обычно образуются в определенных кристаллографических плоскостях. Когда кристаллическая структура анизотропна или в процессе производства ей придана преимущественная ориентация, облучение может привести к преимущественному изменению одного из линейных размеров. Можно, например, предсказать, что трубы высокого давления в тяжеловодном реакторе будут удлиняться в процессе эксплуатации, а также могут значительно прогнуться из-за наличия поперечного градиента нейтронного потока. Так как это связано с низким пределом ползучести, радиационный рост такого рода довольно ограничен, что было отмечено для циркал-лоя-2. Трубы высокого давления, изготовленные из сплавов с более высоким сопротивлением ползучести, таких, как цирконий-ниобиевые сплавы, значительно увеличились в длину под облучением. [2]

Следующим вакансионным скоплением является квадривакансия. Компактной квадривакансией является такая конфигурация вакансий, в которой каждая вакансия имеет по крайней мере две ближайшие вакансии. Некоторые квадривакансик с низкой энергией были изучены недавно [41] с учетом атомного взаимодействия. [3]

Для вакансионных скоплений больших размеров ситуация осложняется в результате того, что существует определенная связь между количеством возможных форм скопления, содержащих данное число вакансий, и числом вакансий. В настоящее время, по-видимому, невозможно измерить энергию связи тривакансий, находящейся в различных состояниях. О вычислениях этих энергий сообщалось в работе [41], но абсолютные значения, полученные таким образом, нельзя принимать за действительные, поскольку точные значения Лтп неизвестны. Очевидно, любое решение уравнения ( 7) может быть только приближенным. Прежде чем сообщить о попытке решения уравнения с помощью аналоговой вычислительной машины, вполне уместно рассмотреть другие особенности уравнения. [4]

Растут ли небольшие вакансионные скопления или уменьшаются, зависит от притока и оттока вакансий ( включая комплексы вакансий) к скоплению. Скорость притока вакансий определяется количеством двигающихся вакансий и их подвижностью. Скорость оттока вакансий определяется энергией связи между вакансией и вакансионным скоплением. Эта энергия связи зависит от размера и формы скопления и будет увеличиваться с увеличением размера скопления, приближаясь к некоторой величине, которая является характеристикой формы скопления, На скорость этих процессов влияет температура. [5]

Призматические дислокационные петли в алюминии чистотой 99 995 %, закаленном с 600 С в воде при 0 С. [6]

Было нетрудно установить причину различной природы вакансионных скоплений в упомянутых металлах. Предполагают, что золото, наоборот, имеет низкую энергию дефекта упаковки. Поэтому в нем должны образовываться сидячие петли Франка. [7]

В дефекте упаковки, возникшем вследствие захлопывания плоского вакансионного скопления ( диска вакансий), может быть пропущен один из слоев нормальной упаковки - это ДУ вычитания; а когда пропущено несколько слоев, образуется дефект внедрения. При неправильном размещении трех или более слоев упаковки возникает микро-двойник. Еще более сложным трехмерным дефектом является микро-двойниковая ламель. Число дефектов упаковки зависит от ориентации ( рис. 7 - 8) и несовершенства поверхности подложки, условий роста и энергии образования ДУ. Большинство ДУ зарождается на границе между подложками и эпитаксиальным слоем. [8]

Концентрация моно -, ди -, тривакансий и больших вакансионных скоплений изменяется в период зарождения в зависимости от скорости закалки. [9]

Они считают, что, когда дислокация встречает вакансии или вакансионные скопления, последние диффундируют вдоль дислокаций, образуя вдоль них атмосферы. [10]

Пример расчета концентраций моно-ва Кансий, дивакансий и комплексов вакансия - примесь и дивакан-сия - примесь в зависимости от времени старения. [11]

Несмотря на то что этот метод не оставляет сомнений в существовании вакансионных скоплений, он позволяет наблюдать только скопления, размер которых больше 20 А. [12]

Галиган и Вашбурн предположили, что эти опыты могут быть объяснены разрушением вакансионных скоплений движущимися дислокациями. Здесь следует отметить, что скорость наклепа закаленного алюминия меньше, чем скорость наклепа отожженного кристалла, даже когда образец ориентирован таким образом, что происходит одиночное скольжение. Причина этого различия для меди и алюминия все еще неизвестна. [13]

Оценка по (4.20) дает 9 - 104 1 59, что указывает на существование вакансионных скоплений в виде дислокационных петель. [14]

Зародыши роста Si на подложке Si. Нормаль к поверхности подложки близка к. [15]

Страницы: 1 2 3