5-тип
Cтраница 2
Ср-лигандами очень слабые ( из-за плохого перекрывания) связи 5-типа, поэтому орбнтали jj и у комплекса будут практически не связывающими. Связывающие орбнтали % ь у и % з образуются из нижних орбнталей фрагмента СрМ, которые в табл. 27.2 не показаны, но приведены на рис. 27.10. При образовании орбнталей хз и % 4 комплекса Ср2М из орбнталей ул и % з фрагмента СрМ орбнтали металла утрачивают гибридный / - характер и становятся чистыми р-орбнталями. Зато в ю и % и орбнтали металла становятся чистыми rf - орбнталями, хотя в СрМ они были / - гибридными. [16]
В базовой области полупроводникового прибора с отрицательным дифференциальным сопротивлением 5-типа во включенном состоянии создается электронно-дырочная плазма, которая распространяется за пределы области, ограниченной электродами данного прибора, и создает повышенную концентрацию неравновесных носителей в прилегающих участках полупроводника. [17]
ДЛина поверхностного Канала Может превышать 1 мМ, а в кремнии / 5-типа Доходит до 4 мм. Каналы легче образуются на высокоомном кристалле. В этом случае для образования инверсионного слоя требуются сравнительно малые изгибы энергетических зон. [18]
Универсаль; 2 - Глубокоизлучатель; 3 - Люцетта; 4 - Молочный шар; 5-типа ВЗГ; 6-типа ОД; 7 -типа ПВЛ. [19]
При хемосорбции Л - типа водород является акцептором электронов, к то время как при хемосорбции 5-типа он служит донором электронов. [20]
В зависимости от формы вольт-амперной характеристики нелинейные элементы с отрицательным сопротивлением делятся на отрицательные сопротивления N - и 5-типа. [21]
В качестве материала для напыления и вплавления в кремний и-типа используется золото, легированное сурьмой ( 2 - 5 % сурьмы), для / 5-типа - алюминий или золото, легированное алюминием. [22]
Многочисленные экспериментальные данные по выращиванию без-слокаиионных монокристаллов кремния свидетельствуют о том, что и малых V / G в слитках наблюдаются микродефекты межузельного па ( микродефекты А - и 5-типа), при промежуточных V / G - только [ Кродефекты 5-типа, а при больших V / G - микродефекты D-типа, вставляющие собой вакансионные агрегаты. Отсюда следует, что ль СТД с меньшей исходной концентрацией и большей диффузной-и подвижностью в данном случае играют межузельные атомы, а пре-ладающим типом СТД при температуре кристаллизации являются ва-нсии. [23]
 |
Влияние способа подготовки поверхности на прочность соединений [ 10, с. 80 - 84 ]. [24] |
Материал ОТ-4-1, состоящий из Ti, A1 и Mg, представляет собой сплав с кристаллической решеткой а-типа, а ВТ-3, в состав которого входят Ti, Al, Mo и Со, относятся к а - ( 5-типу. Строение кристаллической решетки сплавов определяет их поверхностную энергию, что оказывает заметное влияние на свойства соединений, и высокая прочность соединений при склеивании титановых сплавов достигается при разных способах обработки. [25]
Многочисленные экспериментальные данные по выращиванию без-слокаиионных монокристаллов кремния свидетельствуют о том, что и малых V / G в слитках наблюдаются микродефекты межузельного па ( микродефекты А - и 5-типа), при промежуточных V / G - только [ Кродефекты 5-типа, а при больших V / G - микродефекты D-типа, вставляющие собой вакансионные агрегаты. Отсюда следует, что ль СТД с меньшей исходной концентрацией и большей диффузной-и подвижностью в данном случае играют межузельные атомы, а пре-ладающим типом СТД при температуре кристаллизации являются ва-нсии. [26]
В соответствии с ГОСТ 19658 - 81 метод модуляции проводимости в точечном контакте используют для измерение времени жизни неравновесных носителей заряда в слитках монокристаллического кремния с удельным сопротивлением 5 - 10 - - 5 - 1) 2 Ом-см в следующих диапазонах: более 2 8 мкс - для кремния / 5-типа, более 7 7 мкс - для кремния тг-типа. Измерительный зонд изготавливают для образцов р-типа из фосфористой бронзы, дл: 1 образцов га-типа - из алюминия. Формовку контакта измерительного зонда осуществляют кратковременной подачей на измерительный зонд постоянного напряжения от источника с напряжением 300 - 400 В. Поверхность монокристалла шлифуют абразивным или алмазным порошком; при недостаточной инжекции допускается химическое травление. На боковой поверхности монокристалла создают омический контакт площадью не менее 1 см2 путем нанесения палладия, никеля, индий-галлиевой или алюминий-ггллиевой пасты. Длительность инжектирующего импульса тока выбирают в зависимости от марок образцов и ожидаемого значения времени жизни носителей заряда; при малых значениях времени жизни она составляет 50 мкс. [27]
 |
Классификация изотерм сорбции из растворов. [28] |
Наиболее общую классификацию изотерм сорбции из жидкой фазы дал Смит ( рис. II. Вогнутые изотермы 5-типа встречаются редко. Изотермы Лэнгмюра ( L-типа) соответствуют / и / / / типам классификации БЭТ ( см. рис. II. Vm / Vm, где Vm и т - мольные объемы исследуемого соединения и стандартного вещества), у которых значительная сорбционная емкость достигается при очень малых концентрациях. В случаях, когда справедлив закон Генри ( тип С), сорбционная емкость пропорциональна конечной концентрации раствора. [29]
Мы вернемся к возможным объяснениям адсорбции А-и 5-типа в разделе X, 5, но отметим здесь, что оба указанных выше объяснения не являются взаимно исключающими друг друга. Влияние загрязнений, по-видимому, сводится к тому, что они облегчают образование диполей 5-типа. [30]
Страницы: 1 2 3 4