Скорость - диффузия - атом
Cтраница 5
 |
Форма фигур роста на грани N. а - в направлении СД. б - в обратном направлении. [61] |
Процесс роста слоев ZnO на подложках Ge и GaAs осложняется диффузией атомов подложки в растущий слой ZnO. Здесь уместно предположить, что если скорость роста слоя ZnO гораздо больше скорости диффузии атомов подложки в пленку, то пленки ZnO будут иметь более совершенную поверхность. Эксперимент подтверждает справедливость такого предположения. [62]
Страницы: 1 2 3 4 5