Скорость - дрейф - электрон
Cтраница 3
При детектировании в режиме импульсного питания предъявляются дополнительные требования к газу-носителю. Прежде всего необходимо, чтобы скорость дрейфа электронов была как можно более высокой и за короткий импульс можно было достаточно полно осуществить их сбор. [31]
Однако здесь возникает еще одна проблема. На рис. 6.1 представлены графики электрополевой зависимости скорости дрейфа электронов проводимости при постоянных условиях. [32]
Очевидно, что коэффициент ионизационного усиления / / / о зависит и от подвижности электронов, и от их энергии. Если энергия элецтронов постоянна, ток зависит от изменения скорости дрейфа электронов ve, а при постоянной скорости дрейфа электронов ( или их подвижности) на ток влияет изменение частоты ионизирующих столкновений ze, зависящей от энергии электронов. На этом основано детектирование по подвижности и энергии электронов в режиме ионизационного усиления. [33]
Очевидно, что коэффициент ионизационного усиления / / / о зависит и от подвижности электронов, и от их энергии. Если энергия электронов постоянна, ток зависит от изменения скорости дрейфа электронов ие, а при постоянной скорости дрейфа электронов ( или их подвижности) на ток влияет изменение частоты ионизирующих столкновений ze, зависящей от энергии электронов. На этом основано детектирование по подвижности и энергии электронов в режиме ионизационного усиления. [34]
Приведены результаты определения О2 и N2 различных конц-ции в 2 детекторах с объемом 0 6 и 0 04 мл с использованием трития в качестве источника р-излучения и Н2 или Аг в качестве газа-носителя. Высказаны предположения о возможном механизме влияния О2 и Na на изменение скорости дрейфа электронов в направлении поля внутри детектора в зависимости от конц-ции этих газов и вольт-амперной характеристики детектора. [35]
Рассмотрим остаточные эффекты при облучении полевых транзисторов ( ПТ) с коротким каналом, длина которого обычно 0 5 - 2 мкм. В этих транзисторах реализуются высокие значения электрического поля в активной области канала и наблюдается насыщение скорости дрейфа электронов под затвором транзистора. В результате начало и наклон полого участка выходных ВАХ при росте напряжения сток-исток определяются не только расширением обедненного слоя затвора, но и насыщением дрейфовой скорости. Наиболее существенная деградация характеристик ПТ наблюдается при протонном облучении. [36]
Поэтому если берем примесный полупроводник р-типа, верхняя грань образца относительно нижней зарядится положительно, а если n - типа, то отрицательно. Надо принять во внимание, что при одном и том же направлении тока в образце ( см. рис. 45) скорости дрейфа электронов и дырок направлены прямо противоположно. Дырки дрейфуют слева направо. [37]
Если предположить, что число электронов проводимости в металле, например в серебре, равно числу атомов, то какой будет скорость дрейфа электронов проводимости в серебряной проволоке диаметром 1 мм, по которой идет ток 30 А. [38]
Это показывает, что основное взаимодействие носителей с решеткой происходит благодаря полярному рассеянию. При этой напряженности поля электроны имеют скорость дрейфа 3 107 см / сек, в то время как в Ge и Si скорость дрейфа электронов достигает насыщения при значении, меньшем 107 см / сек. [39]
 |
Цилиндрическая ионизационная камера. [40] |
Фронт импульса становится нелинейным. Форма импульса от точечного источника ионизирующего излучения, помещенного вблизи внешнего электрода, изображена на рис. 6.5; при этом учтено изменение скорости дрейфа электрона с изменением электрического поля. [41]
В слабом поле дрейфовая скорость электронов в InP меньше, чем в GaAs, однако все же выше, чем в кремнии, и занимает на графике как раз промежуточное положение. При увеличении напряженности поля на том участке, где дрейфовая скорость электронов в GaAs, перевалив через максимум, уже начинает снижаться, скорость дрейфа электронов в InP еще продолжает расти. Достигнув значения около 2 - Ю7 см / с, скорость дрейфа электронов в InP также начинает снижаться, однако при значении поля около 16 кВ / см она по-прежнему выше, чем в кремнии. С другой стороны, в кремнии дрейфовая скорость электронов продолжает монотонно повышаться при увеличении напряженности поля и не достигает максимума. Причина того, что зависимость скорости дрейфа электронов проводимости от напряженности электрического поля в GaAs и InP имеет экстремальный характер, а в случае Si характеризуется монотонным ростом, кроется в различии зонной структуры этих материалов. [43]
Из-за наличия огромного множества электронов проводимости в меди даже большие токи создают лишь весьма слабые изменения ( возмущения) в их обычном тепловом движении. Предположение о том, что всякий атом меди в проволоке доставляет один электрон проводимости, представляется разумным, но даже если бы атомы доставляли в два-пять раз больше электронов проводимости, то и это в действительности почти не отразилось бы на скоростях дрейфа электронов. [44]
Проволока перематывается с одной катушки на другую. По проволоке идет ток. Скорость перемотки равна скорости дрейфа электронов по проволоке и направлена в противоположную сторону. [45]
Страницы: 1 2 3 4