Cтраница 1
Скорость зарождения кристаллов w3 определяется, с одной стороны, вероятностью процесса зарождения, а с другой стороны, - подвижностью молекул. [1]
Скорость зарождения кристаллов характеризуют числом центров кристаллизации, возникающих в единице объема охлаждаемой смеси за единицу времени. При гомогенном механизме предполагают отсутствие в исходной смеси посторонних твердых частиц, на которых могут образоваться кристаллы; их зарождение в этом случае определяется флуктуациями энергии. При гетерогенном механизме зарождение кристаллов происходит на твердых поверхностях, а также на взвешенных в переохлажденной смеси мельчайших твердых инородных частицах. [2]
Изучалась зависимость скорости зарождения кристаллов, точнее, кристаллических образований ( сферолитов, сростков), от температуры в стеклах ( составы в мол. [3]
Для количественного описания зависимости скорости зарождения кристаллов от времени и переохлаждения ( пересыщения) требуется детальный анализ кинетики построения кристаллического зародыша из частиц раствора или расплава. [4]
Однако перемешивание часто приводит к повышению скорости зарождения кристаллов и уменьшению их среднего размера. По сравнению с кристаллизацией без перемешивания в рассматриваемых аппаратах получаются кристаллы, более однородные по размерам и более правильные по форме, причем возможна организация непрерывного процесса. [5]
Из формулы ( 11 11) видно, что скорость зарождения кристаллов сильно зависит от поверхностного натяжения жидкости и энергии активации. Даже малые добавки растворимых примесей часто оказывают значительное влияние на указанные свойства жидкостей, поэтому они, естественно, влияют и на скорость зарождения кристаллов. [6]
Таким образом, магнитное поле не влияет также и на скорость зарождения кристаллов. Разница в количестве воды, испаряющейся до начала кристаллизации, в статических условиях ( 11 %) и в динамических ( 6 %) объясняется тем, что при покое растворы обладают большей способностью к перенасыщению, чем при движении. [7]
Так, установлено [88], что при действии излучения радия происходит увеличение скорости зарождения кристаллов серы. При этом а-лучи обычно поглощаются стенкой аппарата и не влияют на процесс зарождения. [8]
Поскольку скорость роста кристаллов мартенсита независимо от температуры громадная, то наблюдаемое с понижением температуры сначала увеличение, а затем уменьшение скорости изотермического превращения ( рис. 138 и 139) обусловлено только температурной зависимостью скорости зарождения кристаллов мартенсита. [9]
Причем максимумы скорости зарождения кристаллов смещаются относительно друг друга пропорционально отношению растворимостей фа. [10]
Значение коэффициента р определяется сродством свойств твердого тела ( подложки) и возникающей кристаллической фазы. В последнем случае подложка практически не влияет на скорость зарождения кристаллов. [11]
![]() |
Изменение энергии при фазовом переходе. [12] |
На границе с лабильной областью растворы распадаются с самопроизвольным ( спонтанным) образованием кристаллов. Эта граница размыта и представляет собой переходную зону, в которой скорости зарождения кристаллов возрастают от нуля до неопределенно больших значений. [13]
Для процесса кристаллизации k определяется скоростью реакции между компонентами раствора ( скоростью зарождения кристаллов) и скоростью роста кристаллов, зависящей от температуры и степени перемешивания. [14]
Начало охлаждения керамических изделий является ответственным периодом обжига. Скорость охлаждения изделий в начальный период определяется тремя факторами: а) скоростью зарождения кристаллов; б) скоростью роста кристаллов; в) прочностью материала. По опытным данным, охлаждать изделия из легкоплавких глин на первые 100 - 150 следует так, чтобы величина температурного перепада в изделии равнялась 30 - 35 С. После того как изделие охладится на 100 - 150, дальнейшее охлаждение его можно значительно интенсифицировать. При охлаждении изделий, содержащих значительное количество кварца, как, например, динаса, необходимо следить ва тем, чтобы изделия не растрескивались во время перехода кварца из одной модификации в другую. [15]