Cтраница 1
![]() |
Схема замещения туннельного диода.| Принципиальная схема гег нератора на туннельном диоде. [1] |
Скорость изменения напряжения на диоде определяется отношением пика туннельного тока к емкости перехода С. Чтобы увеличить это отношение, туннельные диоды делают из сильнолегированного полупроводника. [2]
Скорость изменения напряжения на конденсаторе зависит от параметров времязадающей цепи: т RZC2, а также от начального напряжения с2н и уровня, к которому стремится напряжение на конденсаторе в процессе его перезаряда. [3]
![]() |
Скорости изменения напряжений а const. [4] |
Скорость изменения напряжений поддерживается постоянной. [5]
Скорость изменения напряжения на аноде при прямом ходе развертки пропорциональна напряжению, подающемуся на входное сопротивление схемы, и обратно пропорциональна постоянной времени цепи сетки. [6]
![]() |
Цепь с емкостным элементом.| Ток и напряжение в цепи с емкостным элементом.| Ток, напряжение ( а и мощность ( б цепи с емкостным элементом.| Векторная диаграмма цепи с емкостным элементом. [7] |
Скорость изменения напряжения, максимальная в начале, в конце первой четверти периода становится равной нулю. Ток в цепи, пропорциональный скорости увеличения напряжения (9.22), положителен и изменяется от / т до нуля. [8]
![]() |
Упрощенная схема компенсационного метода измерения с применением конденсатора постоянной емкости. [9] |
Скорость изменения напряжения определяется при помощи электрометра, имеющего низкую точность. [10]
Скорость изменения напряжений мало влияет на величину предела выносливости. Некоторое повышение предела выносливости наблюдается при увеличении частоты нагружений выше 1000 циклов в секунду. Перерывы нагружения ( паузы) повышают предел выносливости, однако это повышение невелико ( не более чем на 10 - 15 %) и тем больше, чем чаще и продолжительнее перерывы в нагружений. [11]
![]() |
Векторная диаграмма цепи с емкостью. [12] |
Скорость изменения напряжения, максимальная в начале, в конце первой четверти периода становится равной нулю. Ток в цепи, пропорциональный скорости увеличения напряжения ( 10 - 22), положителен и изменяется от / до нуля. [13]
![]() |
Зонные диаграммы и волыамперная характеристика обращенного. [14] |
Скорость изменения напряжения на диоде определяется отношением туннельного тока пика к емкости перехода / П / С. Кроме того, для уменьшения емкости туннельные диоды создают в виде сплавных резких р-п переходов малого ( 2 - 3 мкм) диаметра. Для получения заданного значения тока пика / п и уменьшения площади перехода диод подвергают электролитическому травлению. [15]