Скорость - испарение - примесь - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Христос Воскрес! А мы остались... Законы Мерфи (еще...)

Скорость - испарение - примесь

Cтраница 1


Скорость испарения примеси из расплава зависит от количества этой примеси в образце и температуры. Эти параметры определяют равновесное парциальное давление паров примеси. Кроме того, скорость испарения зависит от скорости удаления паров с поверхности расплава, от состояния и размеров поверхности расплава, от давления и состава окружающей атмосферы.  [1]

В работах Райхбаума и Костюковой [68, 74] показано, что скорость испарения примесей влияет на коэффициент использования паров ( f): по мере увеличения скорости испарения и повышения струйности течения паров атомы концентрируются у оси электрода и f растет.  [2]

3 Зависимость концентрации легирующей примеси фосфора ( л, см в эпитаксиальных слоях кремния, осажденных при 1400 К со скоростью 0 6 мкм / мин, от парциального давления PHS ( РрН МПа ( а и от скорости. [3]

Это может быть объяснено тем, что при высоких температурах скорость испарения примеси с поверхности эпитаксиального слоя превышает скорость захвата ее растущим эпитаксиальным слоем.  [4]

Во-первых, исходным пунктом для количественной трактовки хода дискретной газовой экстракции полимеров у Кольба и Поспишила является допущение (3.8) относительно скорости испарения примесей, а совсем не условия равновесия между газом и полимером, приближение к которому, таким образом, становится не только несущественным, но и ненужным. Во-вторых, переход от уравнения непрерывной газовой экстракции (3.9) к уравнению дискретной экстракции (3.10) в цитируемой работе [93] не обосновывается строго и нуждается в формулировке определенных условий и ограничений. Наконец, геометрическая прогрессия концентраций паровой фазы при дискретной газовой экстракции (3.10) может быть следствием совсем не кинетического уравнения (3.8), а закона распределения, если процесс осуществляется в равновесных условиях. Таким образом, рассматриваемый метод основан, в сущности, лишь на зависимости (3.10), которую Пока ( до более детального изучения хода дискретной газовой экстракции полимеров) следует использовать как эмпирическое соотношение, соблюдающееся при определенных экспериментальных условиях для нескольких исследованных полимерных материалов.  [5]

6 Изменение оптической плотности линии AI 3092 7 А при испарении алюминия из порошка вольфрама ( б и в чистом виде ( а. Давление аргона 4 атм, Т - 2600 К, сила тока дуги 50 а. Метка времени 0 2 сек. [6]

Результаты определений концентрации алюминия в вольфраме при использовании различных по весу проб образца ( табл. 52) также указывают на независимость скорости испарения примеси от количества пробы. Поэтому при фракционном выделении примесей из труднолетучих основ оказывается возможным проведение анализов при помощи градуировочных графиков, полученных для чистого элемента. В табл. 53 приведены данные по определению алюминия и цинка в графите и некоторых тугоплавких металлах. Навеска пробы помещалась в канал электрода, высверленный в торцевой площадке усеченного конуса.  [7]

В тех случаях когда в качестве носителя используются вещества, химически реагирующие в электроде с компонентами пробы, применение носителя может вызвать кроме того, существенное изменение скорости испарения примеси из пробы за счет перевода компонентов в более или менее летучие соединения.  [8]

Отличительной особенностью импульсного разряда в ПК является слабая зависимость интенсивности спектральных линий от давления гелия в области 8 - 16 мм рт. ст. Температура катода, а, следовательно, и скорость испарения примесей также не изменяются в этом диапазоне давлений. В импульсном разряде ПК искровой спектр усилен по сравнению с разрядом постоянного тока - с равными значениями действующего тока. Интенсивность спектра растет с увеличением амплитуды и частоты следования импульсов тока через катод. При малой частоте следования импульсов поступление примесей со стенок катода-возбудителя происходит за счет катодного распыления, а с повышением частоты увеличивается доля атомов, поступающих за счет термического испарения.  [9]

Исследуя влияние носителя на скорость испарения, они установили, что окислы галлия, никеля и серебра, добавляемые к двуокиси циркония, а также к окисям вольфрама, гафния, молибдена, ниобия, тантала, тория и урана, не влияют заметно на скорость испарения примесей.  [10]

При использовании прямых методов анализа нефтепродуктов существенное влияние на полученные результаты оказывают кроме перечисленных факторов еще и свойства основы пробы ( ее углеводородной части): вязкость, летучесть, групповой состав и др. Эти свойства основы влияют на скорость и полноту ее испарения, что в свою очередь отражается на коэффициенте обогащения пробы, на скорости испарения примесей и на состав дуговой плазмы. При анализе легких нефтепродуктов методом вращающегося электрода основа полностью испаряется до достижения аналитического промежутка и анализу подвергается сухой остаток. Высококипящие продукты испаряются лишь частично. Основная масса закоксовывается и испаряется при непосредственном соприкосновении с пламенем дуги. В результате этого интенсивность линий определяемых примесей снижается.  [11]

При выводе уравнений, описывающих оттеснение примесей в процессе выращивания монокристаллов кремния из расплавов, предполагалось, что примесь полностью сохраняется в системе расплав - кристалл. Скорость испарения примесей с поверхности расплава зависит от атмосферы, в которой проводится процесс ( вакуум или атмосфера инертного газа), и геометрии узла тигель - кристалл - экраны. При заданной геометрии теплового узла я при проведении процессов в вакууме 10 - 5 - 10 - 6 мм рт. ст. относительную скорость испарения примесей со свободной поверхности расплава можно установить, определяя отрезок времени, в течение которого концентрация в расплаве уменьшается в е раз.  [12]

Авторы метода фракционной дистилляции считают, что действие носителя сводится, во-первых, к увлечению в пламя дугового разряда малых примесей, испаряющихся при нагреве пробы, и, во-вторых, к стабилизации дуги. Предполагается, что носитель увеличивает скорость испарения примесей.  [13]

Если установка, где производится выращивание кристалла, имеет водоохлаждаемые стены, то пары летучего компонента будут на них конденсироваться и его парциальное давление будет соответствовать температуре Г - ЗООК и будет исчезающе малым. В этих условиях примесь непрерывно испаряется из расплава. Скорость испарения примеси, характеризуемая величиной КЖи, зависит от величины давления инертного газа.  [14]

15 Электрод для независимого введения в плазму паров носителя и примесей. [15]



Страницы:      1    2