Скорость - нарастание - прямое напряжение
Cтраница 2
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии ldu3C dt) Kp - наибольшее значение скорости нарастания прямого напряжения, жоторое не вызывает переключение прибора из закрытого состояния в открытое. [16]
Тиристоры характеризуют также критической скоростью нарастания прямого напряжения, под которой понимают максимальное значение скорости нарастания прямого напряжения, при котором не происходит переключение тиристора при заданном напряжении и разомкнутой цепи управляющего вывода. [17]
Следует отметить, что при работе тиристора в схеме преобразователя необходимо тем или иным путем ограничить скорость нарастания прямого напряжения на вентиле с целью предупреждения ложных - включений. [18]
Сопротивление R3, много больше, чем R %, служит для разряда конденсатора С2 - Цепочка R [ C) ограничивает скорость нарастания прямого напряжения du / dt, а диодный мост VDX - VD4 препятствует разряду конденсатора С при включении тиристора. [20]
В оборудовании силовой электроники правильная работа и защита элементов требуют, чтобы повышения напряжения на силовых полупроводниковых приборах ( амплитуды напряжения) и скорости нарастания прямого напряжения ( du / dt) поддерживались в нормируемых пределах. Защита по напряжению, таким образом, может быть подразделена на защиту от перенапряжений и на защиту от чрезмерных скоростей нарастания прямого напряжения. [21]
Если счетчик строить на основе ячеек, изображенных на рис, 8.2, то можно обеспечить быстродействие, близкое к времени переключения используемых тиристоров, так как длительность перезаряда конденсатора Ссв можно сделать меньше / Выкл - Поэтому тиристорные пересчетные схемы, построенные по способу выключения, имеют лучшие частотные свойства. Следует, однако, отметить, что ограничение скорости нарастания прямого напряжения на тиристоре после его выключения ( § 4.4) несколько уравнивает частотные свойства схем, построенных по двум различным способам. Как видно из рис. 4.24, для ослабления чувствительности ТТ к скорости dunp / dt достаточно изменить режим на управляющем электроде. [22]
Включение тиристоров подачей импульсов тока управления общепринято в практическом их использовании. Возможно также включение тиристоров при отсутствии управляющего сигнала изменением скорости нарастания прямого напряжения ( при скорости более 10 в / мксек) или превышением напряжения переключения. Однако в тиристорных схемах эти два способа включения не применяются, так как точность и надежность работы схем снижаются. [23]
Скорости нарастания токов во всех тиристорах ШИП ( кроме скорости изменения прямого тока силового тиристора) ограничены индуктивностью LlF включенной последовательно с коммутирующей емкостью. Это приводит к необходимости включения вспомогательных резистор но-диодно-конденсаторных цепочек, ограничивающих скорости нарастания прямого напряжения. [24]
Особенно снижается вентильная прочность тиристоров в случае приложения напряжения с крутым фронтом при наличии объемного заряда. Хотя в настоящее время выпускаются тиристоры, выдерживающие большие ( до 1000 В / мкс) скорости нарастания прямого напряжения, применение таких приборов не всегда оправдано по технико-экономическим соображениям. [25]
Дайера и Хогтона [2] об изменении времени выключения УПВ 4ыкл в зависимости от начального прямого тока 1т, скорости нарастания прямого напряжения при восстановлении блокирующей способности и управляющего напряжения. [26]
Каждый р - - переход обладает некоторой емкостью, величина которой зависит от напряжения на переходе. С увеличением запирающего напряжения емкость перехода уменьшается. Ток смещения гсм ( t) C2 ( u) du / dt, обусловленный формированием зоны пространственного заряда около р - га-перехода Я2, растет с увеличением скорости нарастания прямого напряжения. [27]
Для каждой из схем на рис. 6.8 определим требуемую по условиям выключения тиристора емкость коммутирующего конденсатора. Кроме того, поскольку цепь коммутации, изображенная на рис. 6.8 а, широко используется при построении устройств на диодных тиристорах [79, 80], которые по сравнению с ТТ имеют большую чувствительность к dunp / dt, выбор емкости конденсатора в схеме рис. 6.8 а произведем с учетом необходимого ограничения скорости нарастания прямого напряжения на тиристоре после его выключения. [28]
 |
Напряжение между анодом и катодом тиристора ит во время. [29] |
В случае слишком большого значения du / dt могут произойти срабатывание тиристора, срыв инверторного режима и возникновение двухфазного КЗ. Такое нарушение наиболее вероятно в системах возбуждения без последовательно соединенных тиристоров в одном плече. Это, в частности, относится к тиристорным бесщеточным системам возбуждения, где для уменьшения числа вентилей и упрощения выпрямителя не применяется последовательное соединение тиристоров, и вентили имеют достаточно высокое использование. Для исключения срыва инверторного режима и появления двухфазного КЗ важно, чтобы скорость нарастания прямого напряжения на тиристорах не превышала допустимого значения. В связи с большой скоростью протекания электромагнитных процессов расчеты должны проводиться с учетом емкостей элементов оборудования и индуктивностей соединительных ши-нопроводов. [30]
Страницы: 1 2 3