Скорость - носитель - ток
Cтраница 1
 |
Эквивалентная схема полевого транзистора с изолированным затвором. [1] |
Скорость носителей тока увеличивается при увеличении напряженности поля в канале, однако при напряженности поля больше некоторой величины наступает насыщение скорости. [2]
При данном направлении j скорость носителей тока в металле - электронов - направлена справа налево. Электроны испытывают действие силы Лоренца ( см. § 114), которая в данном случае направлена вверх. В результате этого между краями пластинки возникнет дополнительное поперечное электрическое поле, направленное снизу вверх. [3]
При данном направлении j скорость носителей тока в металле электронов - направлена справа налево. Электроны испытывают действие силы Лоренца ( см. § 114), которая в данном случае-направлена вверх. В результате этого между краями пластинки возникнет дополнительное поперечное элеэтрическое поле, направленное снизу вверх. [4]
При данном направлении j скорость носителей тока в металле - электронов - направлена справа налево. Электроны испытывают действие силы Лоренца ( см. § 114), которая в данном случае направлена вверх. В результате этого между краями пластинки возникнет дополнительное поперечное электрическое поле, направленное снизу вверх. [5]
Тепловые шумы вызваны флуктуациями скоростей носителей тока в полупроводниковом материале. [6]
 |
Схема включения датчика Холла. [7] |
А - безразмерный коэффициент, близкий к единице, который учитывает статистический характер распределения скоростей носителей тока. [8]
Условие равновесия силы Лоренца и силы холловского электрического поля в полупроводнике ( см. эффект Холла) выполняется только при определенном среднем значении скорости носителей тока. Если же скорости носителей тока оказываются больше или меньше ее среднего значения, то равновесие указанных сил отсутствует: преобладающей окажется соответственно или сила Лоренца или сила холловского поля. [9]
Если тс зависит от скорости, то тс нельзя выносить за знак интеграла в выражении (41.7) для тока; но если такой зависимости нет, то соотношение (42.21) для электрического поля Холла Ъу не зависит от скорости носителей тока. [10]
Условие равновесия силы Лоренца и силы холловского электрического поля в полупроводнике ( см. эффект Холла) выполняется только при определенном среднем значении скорости носителей тока. Если же скорости носителей тока оказываются больше или меньше ее среднего значения, то равновесие указанных сил отсутствует: преобладающей окажется соответственно или сила Лоренца или сила холловского поля. [11]
Положительный или отрицательный знак ос свидетельствует об электронном или дырочном механизме тока. Действительно, с повышением температуры в полупроводниках возрастают концентрация и скорость носителей тока, которые поэтому диффундируют от горячего конца к холодному, оставляя в горячем недостаток, а в холодном создавая избыток зарядов и электрическое поле, противодействующее диффузии. Равновесие достигается, когда поток диффузии уравновешивается переносом зарядов электрическим полем. Если носители тока - электроны, горячий конец получает более высокий положительный потенциал, чем холодный, при дырочной проводимости, наоборот, горячий конец заряжен отрицательно. Одновременно с изменением концентрации носителей тока изменяется и контактный потенциал полупроводника. [12]
Холла и оно годится для технических применений. В то же время в другом материале такая же ЭДС Холла и те же скорости носителей тока могут быть получены при меньшем напряжении только за счет большей подвижности. [13]
При выводе выражения (7.88) допускалось, что все носители тока в проводнике обладают одной и той же скоростью. Такое допущение может быть оправдано для металлов и вырожденных полупроводников и совершенно неприменимо к невырожденным полупроводникам, скорость носителей тока в которых распределена по закону Максвелла. [14]
Скорости электронов и дырок в полупроводниках отличаются от скорости электронов в проводниках. Читатель, привыкший к значениям скоростей электронов порядка сотен тысяч сантиметров в секунду, может быть удивлен, узнав, что в полупроводниках скорости носителей тока не превышают значений, равных всего нескольким тысячам сантиметров в секунду. [15]
Страницы: 1 2