Скорость - охлаждение - система
Cтраница 1
Скорость охлаждения системы до 750 С составляла 3 - 5 С / мин, далее резко падала. В результате были выращены эпитаксиальные слои толщиной от 40 до 70 мкм, легированные серой и в различной степени азотом. [1]
Температура образования гидратов зависит от скорости охлаждения системы. [2]
 |
Варианты промежуточных связей между элементами структуры. [3] |
Следует, естественно, обращать внимание на скорость охлаждения системы, которая должна быть не более некоторых установленных значений, выше которых начинаются непрогнозируемые явления в изменении инфраструктуры элементов системы. [4]
Температура образования гидратов сжиженных газов зависит от скорости охлаждения системы газ - вода. [5]
Расчет второй области синтеза дициана с учетом скорости охлаждения системы проведен для шести вариантов. [6]
Содержание моноксида азота в конечном газе в значительной мере зависит от скорости охлаждения системы NO - N2 - О2 - О - N до температур ниже 2000 К, при которых скорость термического разложения моноксида азота незначительна. В процессе медленного охлаждения системы большая часть моноксида азота разлагается. При быстром охлаждении имеет место эффект закалки моноксида азота, в результате чего система приходит к термодинамически неравновесному состоянию. [7]
Пуск ожижителя проводят при минимальном давлении водорода 3 - 5 МПа, чтобы скорость охлаждения систем была не более 30 С / ч во избежание возникновения опасных деформаций и разгерметизации систем и аппаратов. При достижении рабочим газом азотных температур определяют содержание в нем кислорода. Когда содержание кислорода в рабочем газе снизится до предельного значения, указанного в технологической инструкции, постепенно поднимают давление водорода до 12 - 15 МПа. Когда уровень водорода в ванне ожижителя достигнет установленного рабочего значения, приступают к сливу жидкого водорода в емкость. Водород сливают с помощью вентиля из змеевика, расположенного в ванне жидкого водорода. [8]
Наибольшее влияние на выход продукта процесса кристаллизации тиаминбромида оказывает концентрация высаливателя и температура охлаждающего теплоносителя, а на интенсивность процесса - скорость охлаждения системы, расход циркуляционного раствора, температура высаливателя и переохлаждение водного раствора тиаминбромида. [9]
Анализ регрессионного уравнения ( 1) показывает, что наибольшее влияние на выход тиаминбромида оказывает концентрация высаливате-ля и температура охлаждающего теплоносителя, а на интенсивность процесса кристаллизации - скорость охлаждения системы, расход циркуляционного раствора, температура высаливателя и переохлаждение водного раствора тиаминбромида. Выход продукта значительно возрастает с увеличением концентрации высаливателя и уменьшения температуры охлаждающего теплоносителя, а интенсивность процесса возрастает с увеличением величин факторов, на нее влияющих. [10]
Поскольку цель нашего рассмотрения - анализ особенностей нестационарного неизотермического роста кристаллов, характерный временной интервал изменения AT должен быть сравним с продолжительностью зарастания грани кристалла монослоем, Значение параметра и, удовлетворяющее этому требованию, - порядка единицы. При значениях скорости охлаждения системы, соответствующих и 1, кристаллизация происходит в квазиизотермических условиях: за время роста одного монослоя параметры системы можно считать не зависящими от времени. С другой стороны, при и 1 счет значительно усложняется и требует дополнительного обоснования применимости исходных уравнений. [11]
 |
Диаграмма плавкости системы Мп - Мп3С при Р const. [12] |
Если охлаждать расплав, содержащий 90 % А1 и 10 % Ni ( фигуративная точка 3), то его кристаллизация начнется при температуре более высокой, чем эвтектическая температура. Вследствие выделения теплоты кристаллизации скорость охлаждения системы уменьшается, на кривой охлаждения при 963 К появляется излом и кривая при дальнейшем охлаждении изменяется менее круто. По мере кристаллизации NiAb наблюдается замедленнЪе понижение температуры ( С 2 - 2 1 1) и изменение состава расплава до эвтектического. [13]
 |
Диаграмма плавкости системы Мп - Мп3С при Р const. [14] |
Если охлаждать расплав, содержащий 90 % А1 и 10 % Ni ( фигуративная точка 3), то его кристаллизация начнется при температуре более высокой, чем эвтектическая температура. Вследствие выделения теплоты кристаллизации скорость охлаждения системы уменьшается, на кривой охлаждения при 963 К появляется излом и кривая при дальнейшем охлаждении изменяется менее круто. По мере кристаллизации NiAb наблюдается замедленное понижение температуры ( С 2 - 2 1 1) и изменение состава расплава до эвтектического. [15]
Страницы: 1 2