Скорость - перезаряд
Cтраница 2
Элементы семейства МДП обладают невысоким быстродействием. Быстродействие ограничивается скоростью перезаряда емкости нагрузки. Для повышения быстродействия необходимо увеличивать рабочие токи. Это возможно путем увеличения ширины каналов и, следовательно, площади, занимаемой транзисторами. Увеличение рабочих токов связано с увеличением потребляемой мощности. Таким образом, повышение быстродействия логических) МДП схем связано с неизбежным уменьшением степени интеграции. [16]
Элементы семейства МДП обладают невысоким быстродействием. Быстродействие ограничивается скоростью перезаряда емкости нагрузки. Для повышения быстродействия необходимо увеличивать рабочие токи. Это возможно путем увеличения ширины каналов и, следовательно, площади, занимаемой транзисторами. Увеличение рабочих токов связано с увеличением потребляемой мощности. Таким образом, повышение быстродействия логических / МДП схем связано с неизбежным уменьшением степени интеграции. [17]
Это, время зависит от скорости перезаряда конденсатора С по еле - дующей цепи: земля, контакты реле / Сз, сопротивление R2, отрицательный полюс источника - 60 в, и определяется, главным образом, величинами R2 и С. [18]
При открывании тиристоров 2 и 3 напряжение конденсатора прикладывается к тиристорам 1 и 4, запирая их. Емкость перезаряжается до противоположной полярности, причем коммутирующие дроссели ограничивают скорость перезаряда. Время спадания напряжения конденсатора до нуля ( t / c O), предоставляемое выходящим из работы тиристорам для восстановления вентильных свойств, является временем коммутации. [19]
После включения тиристора Т2 конденсатор С начинает перезаряжаться. В процессе перезаряда напряжение на конденсаторе уменьшается. При этом индуктивность LK ограничивает скорость перезаряда конденсатора. Пока напряжение на конденсаторе сохраняет полярность, соответствующую указанной на рис. 3 - 18 6 без скобок, к выключенному тиристору Т будет приложено обратное напряжение и он может восстанавливать свою запирающую способность. Момент, когда напряжение на конденсаторе становится равным нулю, обозначен бч. [20]
 |
Выходные ( а, входные ( б и передаточная ( в характеристики транзистора. [21] |
Напряжение питания и коллекторный ток насыщения целесообразно выбирать в пределах 3 - 5 В и 3 - 5 мА соответственно. При меньших значениях указанных величин существенное значение начинают оказывать токи утечки закрытых транзисторов и падение напряжения на эмиттерном переходе, что приводит к уменьшению нагрузочной способности элементов. Кроме того, при меньших токах снижается скорость перезаряда паразитных емкостей. [22]
На рис. 12.25, а приведена схема блокинг-генератора, работающего в автоколебательном режиме. Рассмотрим принцип действия схемы, начиная с момента, когда конденсатор С зарядился до своего максимального напряжения Um, которое закрывает транзистор. Через сопротивление резистора R6 происходит перезаряд конденсатора С. Скорость перезаряда относительно длительности рабочего импульса мала и определяется постоянной времени RsC. Ее, на базе будет нулевой потенциал относительно эмиттера. Время перезаряда представляет собой паузу между рабочими импульсами. Как только напряжение на базе станет равно нулю, через транзистор потечет малый ток. Возрастание коллекторного тока вызывает появление ЭДС самоиндукции в коллекторной обмотке. ПОЛЯРНОСТЬ ЭДС В базовой обмотке такова, что к базе транзистора прикладывается минус, а к эмиттеру плюс. Ei ходе этого гюцесса формируется фронт рабочего импульса. Этот процесс называется прямым бло-кинг-процессом. [23]
Когда насыщен транзистор Т1, конденсатор С2 успевает зарядиться через его базовую цепь и резистор R9 почти до напряжения питания, причем левая ( по схеме) обкладка имеет более положительный потенциал. В момент открывания транзистора Т2 ( такой процесс - результат перезаряда конденсатора - будет пояснен ниже) заземляется правая обкладка через открытый транзистор Т2, R8, эмиттерный переход ТЗ и база транзистора 77 оказывается под действием положительного. Транзистор Т1 закрывается до состояния отсечки, которое будет продолжаться до тех пор, пока в процессе перезаряда С2 по коллекторной цепи Т2 и через резисторы R5, R6, J. Скорость перезаряда зависит от величины емкости С2 и общего сопротивления К0бщ указанных резисторов. Время, в течение которого закрыт транзистор 77, легко найти по формуле tOTC, 1 0 7 Я0бщ 5, в, т С2, где единицами измерения будут мсек, ком и мкф. [24]
Недостатком ключа с конденсатором в цепи затвора является низкое быстродействие по передаваемому сигналу. Если ключ замкнут, то р-га-переход затвора находится на границе отпирания. Сопротивление канала возрастает, а если изменение переключаемого напряжения превышает напряжение отсечки, то канал перекрывается полностью. Так как в этот период на переход затвора подано обратное напряжение смещения, восстановление нормального режима ( 1.3 ии) определяется скоростью перезаряда конденсатора через запертый переход и может длиться несколько секунд. При таких скоростях переход затвора не запирается и элемент работает в нормальном режиме. [25]
Схема одного из возможных вариантов реверсивного преобразователя приведена на рис. 4 а, а схема замещения и диаграммы, поясняющие работу преобразователя - на рис. 4 6 и в. Нагрузка Z, носящая активно-индуктивный характер, включена в диагональ реверсивного тиристорного моста. Пусть, например, в начальный момент времени открыты тиристоры 7 и 7Y Тогда конденсатор С заряжен до напряжения Uci с полярностью, соответствующей обозначениям без скобок. При отпирании тиристоров Tz и Тз напряжение разряда конденсатора С прикладывается в отрицательном направлении к тиристорам 7 и Tt, если продолжительность интервала времени разряда будет достаточно велика, то тиристоры TI и Т восстановят запирающую способность. Конденсатор С перезаряжается до напряжения Ucz с полярностью, соответствующей обозначениям в скобках. Скорость перезаряда ограничивается коммутирующим дросселем. [26]
Страницы: 1 2