Скорость - перемещение - носитель
Cтраница 2
Найдем предельную частоту при условии, что электрическое поле определяется наличием градиента примесей в базе. При этом условимся, что скорость перемещения носителей заряда под действием поля значительно выше диффузионной скорости, которую можно не учитывать. [16]
Для записи координатной сетки времени в виде линий, например в осциллографе типа Н105, применяется оптико-механический отметчик времени линующего типа, который периодически пропускает на носитель полосу света от осветителя. При фиксированной частоте отметчика времени записанные его колебания в зависимости от скорости перемещения носителя могут быть слишком сжаты или растянуты, что понижает точность определения масштаба времени. В этих случаях целесообразно применять в качестве отметчика времени обычный вибратор, питая его от электронного генератора, частота которого известна и значение ее может быть установлено в соответствии с требуемой скоростью записи. [17]
 |
Запись по двум уровням с промежутками. [18] |
Кривая б представляет изменения магнитного потока вдоль носителя информации. Здесь по оси абсцисс отложены значения длины носителя / vt, где и - скорость перемещения носителя. Поток Ф изменяется в результате записи от некоторого начального уровня Ф0, соответствующего, как правило, состоянию насыщения одного знака, до уровня Ф соответствующего состоянию насыщения противоположного знака. [19]
В транзисторах частотные характеристики ограничиваются конечным временем пролета носителей заряда ( электронов и дырок) через область базы и коллекторную область. Основное ограничение налагает базовая область, в которой действующее поле обычно весьма невелико и скорость перемещения носителей мала. [20]
В табл. 7 приведены также данные по быстродействию ЗУ. Для нестирающихся ЗУ и ЗУ на магнитной ленте скорость съема информации определяется практически только скоростью перемещения носителя. Максимальная скорость считывания при соответствующем подборе пневмоэлектропреобразовате-лей может составлять до 10 кгц. [21]
Если плотности тока достаточно высоки, то электрическим полем, созданным зарядом движущихся носителей, уже нельзя пренебрегать. Это поле, складываясь с уже су - ществующим полем, созданным приложенным напряжением, оказывает воздействие на скорость перемещения носителей тока. Передний фронт заряда носителей при движении их от х 0 до границы обедненного слоя ( см. рис. 13) все время находится в повышенном электрическом поле по сравнению с другими частями перемещающегося заряда носителей. [22]
Для регистрирующих приборов, характерны погрешности, вносимые при записи - показаний. Причинами погрешностей могут быть изменение геометрических размеров бумажных носителей под влиянием изменения влажности окружающей среды; смещение диаграммной бумаги, приводящее к несовпадению делений градуиро-вочной сетки и отметок шкалы прибора; неправильное положение пера пишущего устройства; нестабильность скорости перемещения носителя и несоответствие ее скорости изменениям измеряемой величины; погрешности при расшифровке диаграмм. [23]
Контактный способ обеспечивает большую плотность записи так как магнитная связь между носителем и головкой в этом случае сильнее, чем при бесконтактном способе записи информации. Контактный способ записи применяют при относительно небольших скоростях перемещения носителя информации, например, в накопителях на магнитных лентах, скорость перемещения которых составляет 2 - 20 м / с. Скорость перемещения носителя информации ограничивается прочностью магнитных лент при сравнительно быстром износе магнитных головок из-за трения о поверхность носителя. [24]
При контактном, способе магнитная головка своим зазором соприкасается с носителем. Этот способ характеризуется повышенной плотностью записи информации на носителе, однако приводит к быстрому механическому износу головки и носителя. Износ головки и носителя можно уменьшить снижением скорости перемещения носителя относительно головки. Обычно при контактном способе эта скорость принимается не выше 1 - 2 5 м / с. В основном контактный способ используется в накопителях на магнитных лентах, характеризующихся небольшими линейными скоростями передвижения носителя. [25]
Временем отклика называется время, которое требуется фотодиоду для преобразования поступающей оптической энергии в электрический ток. По аналогии с источниками, время отклика задается временем нарастания и спада сигнала между точками, соответствующими 10 % и 90 % уровням максимальной амплитуды. Время нарастания колеблется от 0.5 нсек до десятков наносекунд и лимитировано скоростью перемещения носителей через обедненную зону. Оно также зависит от приложенного напряжения: более высокому уровню напряжения соответствует меньшее время нарастания. Диод pin - типа может иметь время нарастания 5 нсек при 15 В и 1 нсек при 90 В. [26]
 |
К определению пропускной способности технологических узлов. [27] |
Скоростные характеристики способов регистрации в основном определяются процессом записи. Вместе с тем для многостадийных процессов скорость регистрации может ограничиваться технологическими операциями проявления, закрепления, очистки ( сушки) носителя и даже скоростью перемещения последнего в устройстве. Быстродействие процесса записи определяют по его амплитудно-частотной или ( при импульсной записи) переходной характеристике. Быстродействие всех остальных процессов, как правило, оценивают по скорости перемещения носителя через узел, реализующий соответствующую операцию. [28]
С уменьшением ширины рабочего зазора головки и зазора между головкой и носителем плотность записи увеличивается, так как размер намагниченных участков поверхности становится меньше. Наиболее высокая разрешающая способность при записи обеспечивается при непосредственном контакте головки и носителя. В этом случае зазор определяется лишь шероховатостью покрытия, которая не превышает 1 - 3 мкм. При контактном способе записи может быть достигнута продольная плотность записи до 100 бит / мм. Однако при этом приходится налагать ограничения на скорость перемещения носителя, чтобы избежать быстрого износа головки и механического стирания самого носителя. Таким образом, контактный способ записи, с одной стороны, увеличивает плотность записи и, следовательно, емкость накопителя, однако вместе с этим снижает быстродействие устройства. Обычно такой способ записи применяют в накопителях на магнитных лентах и картах. [29]
Теперь рассмотрим процессы, происходящие при протекании прямого тока через транзистор. Прежде всего интересен так называемый режим больших токов, когда концентрация инжектируемых эмиттером дырок становится сравнимой с равновесной концентрацией электронов в базовой области. При этом используется термин - высокий уровень ин-жекции, всегда характерный для силовых структур. Особенностью данного режима является возникновение электрического поля в области базового слоя. С одной стороны, это приводит к уменьшению сопротивления базового слоя и, следовательно, к уменьшению коэффициента ин-жекции, с другой - повышается скорость перемещения носителей через базу, что увеличивает коэффициент переноса. Так как коэффициент передачи тока транзистора от эмиттера к коллектору а является произведением двух упомянутых величин, их противоположное воздействие приводит к появлению точки максимума а при увеличении рабочего тока транзистора с тенденцией заметного уменьшения в области больших токов. Таким образом, спад коэффициентов передачи токов определяет предельно допустимый ток биполярного транзистора. Значение р в режиме больших токов составляет для силовых транзисторов всего несколько единиц, что требует значительных затрат мощности управляющего сигнала для поддержания открытого состояния ключа. [30]
Страницы: 1 2 3