Скорость - подача - пар
Cтраница 2
 |
Принципиальная схема рекупера-ционной установки. [16] |
Степень десорбции паров органических веществ, выбрасываемых в производстве ЛВС и поливинилацеталей, достигает 96 % при скорости подачи пара 0 1 м / с с температурой ПО-125 С; расход пара - 3 кг на 1 кг рекуперата; время десорбции 40 - 60 мин. [17]
 |
Переносные паровые грелки системы Гластовецкого ( а и Чекмарева ( б для разогрева нефтепродуктов. [18] |
Во время подогрева необходимо наблюдать за продуктом: если замечается подъем масла и горловина цистерны заполняется маслом, скорость подачи пара надо уменьшить. [19]
Для более равномерной десорбции и во избежание чрезмерной нагрузки конденсатора по достижении температуры 80 - 85 С, скорость подачи пара следует снизить до 0 07 - 0 1 л / см2 мин. [20]
Для увеличения степени разложения пара, что очень важно для себестоимости получаемого водорода, окисление катализатора целесообразно проводить при скорости подачи пара 1 2 г / мин. При этом катализатор окисляется за 1 мин. Увеличение времени окисления до 1 5 мин. [21]
Изучение при 760 С средней скорости образования водорода при различных расходах пара ( см. табл. 16) показало, что увеличение скорости подачи пара сверх 291 см / мин не приводит к значительному повышению средней скорости образования водорода ( за 2 мин. [22]
 |
Зависимость скорости образования водорода Ун2 от степени окисления ( т при различных температурах. [23] |
Все опыты по изучению кинетики окисления железа водяным паром были проведены на частицах размером 0 25 - 0 5 мм, со скоростью подачи пара 643 см / мин и температурах 680 С. [24]
К переменным величинам, которые необходимо контролировать в процессе роста кристаллов из паровой фазы, относятся пересыщение, температура, при которой идет рост, давление в системе и скорость подачи пара, зависящая в некоторой степени от устройства прибора для выращивания и от разбавления пара тем или иным газом-носителем. Лучшие кристаллы получаются, по-видимому, в системе, близкой к равновесию и имеющей относительно малую разность температур между питающим веществом и поверхностью растущего кристалла. Если желательно ускорить транспортировку пара к растущему кристаллу, не применяя газа-носителя, то этому может помочь размещение источника пара вблизи кристалла; кроме того, можно увеличить подачу вещества к кристаллу, повысив температуру в зоне роста кристала и уменьшив давление в системе, хотя это может сузить область метастабильного пересыщения. [25]
 |
Прибор для контроля уровня раздела фаз в колонне. [26] |
Межцикловые испарители также регулируются пневматическими приборами. Скорость подачи пара в испаритель регулируется по измерению веса, а скорость вытекания продукта - по плотности раствора в испарителе. Давление воздуха, выходящего из регулятора плотности, регулирует работу дозирующих насосов в случае испарителей первого и второго циклов ( в испарителе третьего цикла применяется пневматический мембранный вентиль) и таким образом регулирует скорость выдачи продукта. [27]
 |
Зависимость скорости образования водорода Ун2 от линейной скорости подачи пара для различ ных степеней окисления. [28] |
Из табл. 12 и рис. 2 следует, что скорость образования водорода не зависит от линейной скорости подачи пара при скоростях выше 643 см / мин. При 630 С и скорости подачи пара 643 см / мин процесс будет протекать во внешней кинетической области. [29]
Строгое фиксирование температуры подложки и исходного вещества позволило получит ], хорошо воспроизводимые по толщине и однородности пленки. Наилучшим способом варьирования толщины является изменение скорости подачи паров пропионата цинка в зону реакции. Предварительные данные показывают, что на никелевой подложке также получаются про-лрачные прочные пленки окиси цинка. [30]
Страницы: 1 2 3 4