Cтраница 2
К определению статических параметров диода. [16] |
Это выражение полезно при расчете диодов и для оценки зависимости крутизны от геометрических размеров электродов лампы. Крутизна диодов различных типов, обычно измеряемая в наиболее крутом участке характеристики, лежит в пределах от одного до нескольких десятков миллиампер на вольт. [17]
К определению статических параметров диода. [18] |
Это выражение полезно при расчете диодов и для оценки зависимости крутизны от геометрических размеров электродов лампы. Крутизна диодов различных типов, обычно измеряемая в наиболее крутом участке характеристики, лежит в пределах от одного до нескольких десятков мдшлиампер на вольт. [19]
Диоды различных типов отличаются своими парамет - рами и характеристиками. Кроме того, диоды различных типов различают по крутизне их характеристики. [20]
Излучающий диод - основной и наиболее универсальный излучатель некогерентной оптоэлектроники. Это обусловливает следующие его достоинства: высокое значение КПД преобразования электрической энергии в оптическую; относительно узкий спектр излучения ( квазимонохроматичность) для одного типа диодов, с одной стороны, и перекрытие почти всего оптического диапазона излучения диодами различных типов - с другой; высокая для некогерентного излучателя направленность излучения; малые значения прямого падения напряжения, что обеспечивает электрическую совместимость СИД с интегральными схемами; высокое быстродействие; малые габариты, технологическая совместимость с микроэлектронными устройствами, высокая надежность и долговечность. [21]