Скорость - рост - эпитаксиального слой
Cтраница 1
Скорость роста эпитаксиального слоя в основном зависит от процентного состава смеси На и SiCU, температуры, скорости потока парогазовой смеси и газодинамических условий в реакторе. [1]
Скорость роста эпитаксиального слоя зависит от концентрации дефектов на поверхности подложки. [2]
На скорость роста эпитаксиального слоя оказывают влияние и другие факторы, например ориентация подложки. При достижении максимально допустимой для данных условий протекания процесса ско-рости роста эпитаксиального слоя на нее начинает оказывать влияние разориентация подложки. [3]
Увеличение скорости роста эпитаксиального слоя кремния возможно также за счет интенсификации гомогенной реакции в газовой фазе: в высокотемпературной зоне, очевидно, происходит замещение хлора в молекуле тетрахлорида кремния на атомы водорода, что увеличивает выход гетерогенной реакции. [4]
 |
Зависимость скорости роста эпитаксиальных слоев и их твердых растворов из газовой фазы в системах с использованием МОС от температуры ( я и парциального давления МОС в ПГС ( б. [5] |
Ориентация подложки существенного влияния на скорость роста эпитаксиального слоя арсенида галлия не оказывает, по-видимому, вследствие того, что она на порядок ниже, чем в гидридном или хлоридном процессах. Полученные при 600 С со скоростью роста 0 2 мкм / мин эпитаксиальные слои арсенида галлия имеют rt 8 - 1014 см-3 и 140 - Ю4 см2 / ( В-с) при 77 К. МОС находят широкое применение для получения разнообразных твердых растворов на основе Д1ПВУ, например эпитаксиальных слоев GaxAi - xAs, входящих вместе с ар-сенидом галлия в состав гетероструктур для лазеров. [6]
Поэтому захват примеси с увеличением скорости роста эпитаксиального слоя, как правило, увеличивается. [7]
Анализ уравнений (6.8) показывает, что скорость роста эпитаксиального слоя полупроводника прямо пропорциональна концентрации его соединения в газовой фазе или парциальному давлению. [9]
В результате эффективность процесса пиролиза дихлорсилана и скорость роста эпитаксиального слоя возрастают. Однако наиболее мощным средством повышения этих показателей является понижение давления газовой фазы, сдвигающее равновесие реакции (6.10), протекающей с увеличением объема, вправо. [10]
При повышенных температурах она переходит в диффузионную область, в которой процесс осаждения соединения из газовой фазы протекает в условиях, близких к равновесным, когда скорость роста эпитаксиального слоя определяется транспортом исходных веществ из газовой фазы к подложке и мало зависит от свойств последней. Для таких условий проведения эпитаксиального процесса справедливо уравнение (6.33) для определения скорости роста эпитаксиального слоя. [11]
При повышенных температурах она переходит в диффузионную область, в которой процесс осаждения соединения из газовой фазы протекает в условиях, близких к равновесным, когда скорость роста эпитаксиального слоя определяется транспортом исходных веществ из газовой фазы к подложке и мало зависит от свойств последней. Для таких условий проведения эпитаксиального процесса справедливо уравнение (6.33) для определения скорости роста эпитаксиального слоя. [12]
 |
Схема расположения радиоактивной пластины-источника н образцов-приемников.| Распределение мышьяка по длине ( а и поперек ( б пьедестала. [13] |
Эпитаксиалъное наращивание осуществлялось методом восстановления кремния из смеси SiCl4 H2 при 1250 С, скорость роста эпитаксиального слоя равнялась - 0 8 мкм / мин. [14]
Страницы: 1