Большая Энциклопедия Нефти и Газа

Торопить женщину - то же самое, что пытаться ускорить загрузку компьютера. Программа все равно должна выполнить все очевидно необходимые действия и еще многое такое, что всегда остается сокрытым от вашего понимания. Законы Мерфи (еще...)

Скорость - рост - диффузионный слой

Cтраница 1

Микроструктуры азотированного слоя ( X 200.  [1]

Скорость роста диффузионного слоя при отсутствии иитридной зоны возрастает в 1 5 - 2 0 раза.  [2]

Скорость роста диффузионного слоя определяется временем протекания самого медленного звена процесса. Если рост слоя при постоянной температуре линейно зависит от времени, лимитирующим звеном является какой-либо граничный процесс, например хемосорбция или химические реакции на граница раздела фаз. Если эта зависимость параболическая, процесс лимитируется диффузионным звеном. Такие зависимости наблюдаются только для стационарных условий диффузии, которые редко реализуются в практике. Чаще всего в реальных условиях наблюдается изменение скорости роста диффузионных слоев во времени, что свидетельствует об изменении соотношения скоростей отдельных звеньев, составляющих процесс.  [3]

С течением времени градиент концентрации и скорость роста диффузионного слоя уменьшаются.  [4]

Каким бы методом ни борировали металлы, скорость роста диффузионного слоя, его структура и фазовый состав определяются тремя основными факторами - температурой, продолжительностью процесса и активностью борирующей среды. Обычно температура борирования находится в пределах 850 - 1100 С, а время выдержки - от 1 до 10 ч; они зависят от требований, которые предъявляются условиями эксплуатации к самому боридному слою и к свойствам материала основы.  [5]

Схема образования и.  [6]

Эти данные свидетельствуют о том, что скорость роста диффузионного слоя ( в данном случае фазы MoSi2) во многом зависит от метода его получения.  [7]

Схема установки для сплицпрования в газовой среде.. - аппарат для получения водорода. 2 - сосуд с серной кислотой. 3 - расходометр. 4 - печь с магниевой стружкой. 5 - сосуд с SiCl, в термостате. 6 - индуктор. 7 - гальванометр. s - образец.| Зависимость толщины сшгацироваяного слоя на молибдене от концентрации SiCl 4 в газовой сме.  [8]

Важным фактором, влияющим на состав и скорость роста диффузионного слоя, является температура процесса.  [9]

Концентрация SiCl4 в газовой смеси и температура процесса влияют на фазовый состав и скорость роста диффузионного слоя.  [10]

Было установлено, что применение нагрева ТВЧ во много раз увеличивает скорость роста диффузионного слоя по сравнению с обычным нагревом в печах сопротивления.  [11]

Схемы диаграмм состояния железо - диффундирующий элемент ( а, кривы изменения концентрации диффундирующего элемента по толщине диффузионного слоя ( 5 и строение диффузионного слоя ( в.  [12]

При температуре ( рис. 12, а) диффузия протекает в - решетке, а при tt ( рис. 12, б) в у-решетке без фазовых превращений. Следовательно, при температуре насыщения существуют только х - или Y-твердые растворы, и концентрация диффундирующего элемента ( химический потенциал) постепенно уменьшается от поверхности в глубину. Скорость проникновения диффундирующего элемента Э в глубь железного образца определяется градиентом химического потенциала diig / ax ( градиентом концентрации dC / dx) и коэффициентом диффузии D. В начальный период диффузии значение d i3 / dx ( dC / dx) велико и общая толщина диффузионного слоя быстро растет. С течением времени градиент концентрации и скорость роста диффузионного слоя уменьшаются.  [13]

Страницы:      1