Диод - ганн
Cтраница 2
Диоды Ганна, так же как ЛПД, обладают отрицательным сопротивлением в динамическом режиме. В 1963 г. при исследовании проводимости образцов нз арсенида галлия л-типа Ганном был обнаружен эффект регулярной пульсации тока. [16]
Диод Ганна ( рис. 10.47) представляет собой образец однородного полупроводника, чаще всего арсенида галлия ( GaAs) n - типа ( концентрация свободных носителей заряда 1013 - 10й см 3), с металлическими контактами / С. [17]
 |
Распределение шэтенциала [ IMAGE ] Структура электрического вдоль образца диода Ганна. домена в диоде Ганна. [18] |
Диоды Ганна изготавливают обычно из брусков монокристаллического арсенида галлия с концентрацией носителей 1013 - 1015 см 3 или эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных на высокоомных кристаллах арсенида галлия. Применение эпитаксиальной-пленки позволяет методами пленарной технологии получать диоды малых размеров и даже изготавливать интегральные схемы СВЧ диапазона. [19]
Диод Ганна в режиме с подавлением домена ведет себя по отношению к внешней цепи как элемент с отрицательным сопротивлением; свойства же его как автономного генератора тока не используются. [20]
Работа диода Ганна в цепи с индуктивностью является разновидностью работы в режиме с задержкой образования домена сильного доля. [21]
Внутри диода Ганна может начаться рост нескольких доменов. По мере развития они конкурируют друг с другом, после чего формируется только один домен. Чаще всего образуются катодные домены. Появившись у катодного контакта, они проходят в образце самый большой путь. Достигнув анодного контакта, домен должен прекратить свое существование. [22]
Для диода Ганна обычно приводят следующие параметры: частота и мощность генерации ( в определенной схеме генератора), пороговое напряжение, соответствующее возникновению регулярных пульсаций тока, и сопротивление образца диода по постоянному току. [23]
Особенность диодов Ганна в том, что они основаны на явлениях, возникающих в объеме однородного полупроводника. [24]
В диоде Ганна колебания, как правило, имеют несинусоидальную форму, но при помещении диода в высокодобротный резонатор можно в определенном режиме работы получить синусоидальные колебания СВЧ значительной мощности в узкой полосе частот. При этом частота колебаний будет зависеть только от настройки резонатора и может меняться в широких пределах при его перестройке. А гак как частота уже не будет связана с размерами дисда, то представляется возможность увеличения длины диода и, следовательно, генерируемой мощности. [25]
 |
Импульсный усилитель на диоде Ганна.| Работа диода Ганна. [26] |
Так, диод Ганна с несколькими параллельными входными контактами позволяет Создать схему Включающее ИЛИ. При подаче на любой входной контакт импульса напряжения в приборе образуется домен и на выходе появляется импульс тока. [27]
Режим работы диода Ганна можно перевести в гибридный либо увеличением питающего напряжения при неизменной частоте, либо при неизменном напряжении питания увеличением рабочей частоты. [28]
 |
Структура ди - [ IMAGE ] Схематическое изображение генератора ода Ганна. Ганна. [29] |
Область применения диодов Ганна: импульсные усилители, устройства памяти, логические элементы, схемы преобразования аналоговых напряжений в импульсные. Приборы, принцип работы которых основан на эффекте Ганна, имеют широкую перспективу внедрения в телеметрических системах, в радиолокационных устройствах. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5