Излучающий диод
Cтраница 3
Образованы излучающим диодом на основе соединения арсенид-галлии-алюминий и кремниевым фотодиодом. Предназначены для применения в составе гибридных микросхем. [31]
Образованы излучающим диодом на основе соединения арсенид-галлий-алюминий и кремниевым фотодиодом. Предназначены для гальванической развязки электрических цепей, между которыми осуществляется информационная связь. Выпускаются в металлическом корпусе. [32]
Образованы излучающим диодом на основе арсенида галлия и кремниевым фотодиодом. Предназначены для гальванической развязка электрических цепей радиоэлектронной аппаратуры. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. [33]
Что касается излучающих диодов, то для них переход небольшого размера позволяет получить большую плотность токов и соответственно большую яркость излучения. [34]
 |
Согласование спектральной характеристики светодиода и относительной световой эффективности. [35] |
Излучение большинства излучающих диодов близко к квазимонохроматическому ( ДЯДтал: 1) и имеет относительно высокую направленность распределения мощности в пространстве. [36]
 |
Вольт-амперная характеристика СИД.| Диаграммы переключения СИД. [37] |
Важной особенностью излучающих диодов является присущая им деградация - постоянное уменьшение мощности излучения при длительном протекании через прибор прямого тока. Деградацию связывают с увеличением концентрации центров безызлучательной рекомбинации за счет перемещения в электрическом поле неконтролируемых примесных атомов. Также играет роль дезактивация части излучательных центров за счет их перехода из узлов кристаллической решетки в междоузлия. [38]
Энергетической характеристикой излучающих диодов ( светодиодов) является квантовая эффективность, которая определяется как отношение числа излучаемых во вне фотонов к числу электронов, проходящих через р-п-переход. Это объясняется большой долей безызлучательных переходов в общем реко мбинационном процессе и малостью доли фотонов, выходящих из светодиода. С понижением температуры вероятность излучательной рекомбинации растет и квантовая эффективность увеличивается. [39]
У некогерентных излучающих диодов зависимость от температуры не столь резка, хотя выходная мощность значительно уменьшается при повышении температуры от 2 К до комнатной. [40]
 |
Схемы оптоэлектронных коммутаторов К249КН1А. [41] |
Какими параметрами характеризуют излучающие диоды. [42]
Даже у малоинерционных излучающих диодов Сбар1 50 - ь200 пФ; значения емкости фотодиода Сбар2 существенно меньше ( 1 - 10 пФ), однако она заряжается малым током / ф, и ее влияние на скорость переключения оптопары также оказывается значительным. [43]
Оптопары, состоящие из излучающего диода на основе соединения мышьяк-галлий-алюминий и кремниевого однопереходного транзистора. Предназначены для использования в аппаратуре управления и устройствах автоматики для гальванической развязки электрических цепей. Выпускаются в металлическом корпусе. [44]
Оптопары, состоящие из излучающего диода на основе арсенид-галлий-алюминия и кремниевого фотодиода, в металлическом корпусе. Предназначены для гальванической развязки электрических цепей, между которыми осуществляется информационная связь. [45]
Страницы: 1 2 3 4