Cтраница 4
![]() |
Конструктивный разрез типа ВКДУ-150 ( а, структурная схема ( б и внешний вид ( в. [46] |
Для повышения рассеиваемой мощности тиристоры, как и мощные диоды, снабжаются радиатором при воздушном охлаждении, а при водяном охлаждении - приваренной к корпусу металлической рубашкой. [47]
![]() |
Внешний вид точечного германиевого детектора ДГ-Ц4.| Разрез плоскостного полупроводникового диода типа ДГ-Ц27. [48] |
Между тем во многих радиотехнических устройствах необходимы значительно более мощные диоды. Выход был найден в создании так называемых плоскостных германиевых диодов. [49]
![]() |
Сплавные переходы маломощного транзистора. [50] |
Однако при изготовлении сплавных переходов большой площади для мощных диодов и транзисторов очень трудно обеспечить нужную степень однородности переходов и равномерность припайки электродов. [51]
![]() |
Принципиальная схема генератора низкочастотных импульсов ЭП-П. [52] |
Напряжение 40 в выпрямляется выпрямителем, собранным на мощных диодах типа Д304, и используется для питания всего переключающего устройства. Генератор имеет индикатор амплитуды колебаний излучателя. [53]
Для некоторых типов приборов, таких как стабилитроны, мощные диоды и тиристоры, возможна дополнительная классификация, согласно которой к основному пятизначному обозначению через дефис или дробь добавляется дополнительный код. [54]
Среди приборов дугового разряда следует отметить газотроны, представляющие собой мощные диоды с термоэлектронным катодом, наполненные инертными газами или парами ртути. Они предназначены для выпрямления высоких напряжений и больших токов, причем падение напряжения на самих газотронах всего лишь 10 - 30 В. В качестве мощных выпрямителей служат также ртутные вентили и экситроны с одним или несколькими анодами, имеющие жидкий ртутный катод с электростатической эмиссией. Более совершенными ртутными вентилями являются игнитроны, имеющие также ртутный катод и дополнительный пусковой электрод, облегчающий возникновение дугового разряда. [55]
Как видим, время жизни неосновных носителей увеличивается у мощных диодов, а в группе примерно одинаковой мощности - у германиевых по сравнению с кремниевыми. [56]
Нагрузочная способность тиристоров по току лимитируется, как и в мощных диодах, тем теплом, которое тиристор в состоянии передать охлаждающей среде при максимально допустимой температуре кристалла. Количество тепла зависит от типа тиристора и интенсивности охлаждения, а также от того температурного перепада AT /, который устанавливается между кристаллом, являющимся наиболее нагретым местом в тиристоре, и температурой окружающей среды. У отечественных типов тиристоров для кристалла принята Гут 110 С. [57]