Скорость - выращивание
Cтраница 1
Скорости выращивания из расплава 0 1 - 1 см / ч, Однородные кристаллы получают из расплава устойчивого хим. соединения. В присутствии примесей для получения однородных кристаллов целесообразно использовать метод вытягивания, обеспечив при выращивании постоянство формы границы раздела фаз. [2]
 |
Схема аппаратуры для газо. [3] |
Скорость выращивания достигает 40 мкм / мин. [4]
 |
Вертикальная зонная плавка. / - ампула. 2 - подставка. [5] |
Скорость выращивания для материала и-типа составляет обычно около 0 1 мм / мин. Для материала / ьтипа возможна несколько большая скорость. [6]
 |
Кристалл кремния, образовавшийся внутри расплава в тигле. Х2 5. [7] |
Если скорость выращивания ( вытягивания) больше или меньше скорости роста, то образуется вогнутая либо выпуклая граница раздела. Вид фронта кристаллизации оказывает значительное влияние на распределение температуры у поверхности раздела. Согласно [23] для сохранения контакта кристалл - жидкость необходимо выдерживать определенный мениск. Форма мениска определяется условиями сохранения равновесия между нормальной силой сцепления, зависящей от о, и гравитационной силой. Давление, обусловленное нормальной силой сцепления, Р о ( l / Rt l / R2), где flt и R2 - радиусы мениска в поперечном и продольном ( R10 R2 0) сечениях. [8]
Если скорость выращивания увеличивают, выделяется большее количество тепла кристаллизации и расплав несколько перегревается. В результате диаметр кристалла уменьшается. [9]
Зависимость скорости выращивания от температуры различна для различных установок. Обычно выращивание монокристаллических эпитаксиальных слоев кремния на кремниевой подложке осуществляется в интервале температур 950 - 1400 С. При температуре 1200 С скорость выращивания монокристаллической пленки составляет 1 - 5 мкм / мин. При более высоких скоростях выращивания пленки качество структуры пленок ухудшается и может даже появиться поликристаллическая пленка. [10]
При мелой скорости выращивания ( 1 - 2 мм / мин) зона расплава имеет малую длину и большой температурный градиент в растущей части кристалла. Кроме того, уменьшается расстояние между зоной расплава и индуктором. В этом случае электродинамическое воздействие деформирует зону расплава, что приводит к искривлению растущего кристалла ( винтообразная форма) и возможному проливу зоны расплава. [11]
При увеличении скорости выращивания повышается количество выделяемого в единицу времени тепла кристаллизации и температурный градиент в растущем монокристалле уменьшается. Зона расплава принимает устойчивую и симметричную форму, а это в свою очередь повышает устойчивость и воспроизводимость роста монокристаллов без дислокаций. [12]
 |
Однородное распределение микродефектов Л - типа 9 поперечном ( а н продольном ( 6 сечениях монокристалла кремния. X 1 0. [13] |
При уменьшении скорости выращивания ( v 2 мм / мин) концентрация микродефектов А-типа понижается, они увеличиваются в размерах и располагаются в объеме равномерно. При еще меньших скоростях роста ( v 1 мм / мин), когда размеры микродефектов А-типа достигают еще больших значений ( - 40 мкм), в монокристаллах образуются дислокации. [14]
Страницы: 1 2 3 4