Скорость - вытягивание - кристалл
Cтраница 1
Скорость вытягивания кристалла из расплава периодически изменяется. Во время одной стадии процесса вытягивания кристалл содержит преимущественно примеси р-типа. [1]
В настоящей работе рассматривается влияние скорости вытягивания кристалла из расплава на ширину боковой грани. [2]
Концентрация некоторых примесей в германии ( например, сурьмы) существенным образом зависит от скорости вытягивания кристалла, в то-время как концентрации других примесей ( например, галлия) почтиг не чувствительна к скорости вытягивания. [3]
В Ge, легированном As, это отношение равно 4 и уменьшается до - 2 при увеличении скорости вытягивания кристалла из расплава и повышении скорости его вращения. [4]
Процесс выращивания кристаллов этим методом можно проследить, обратившись к схеме установки, показанной на рис. 4.3. В процессе выращивания контролируют температуру тигля, скорость вытягивания кристалла из расплава и перемешивание расплава при вращении вытягиваемого кристалла или тигля. Конструктивные особенности установки призваны обеспечить требуемую форму тепловых полей вблизи границы роста, регулировать тепловые потери в области выхода кристалла из расплава и через зажимный патрон, держащий затравочный кристалл. [5]
Обычно скорость вытягивания кристалла составляет 0 1 - 2 мм / мин. Увеличение температуры приводит к сокращению фронта кристаллизации и уменьшению диаметра растущего кристалла, вплоть до полного отрыва его от расплава, а уменьшение температуры - к увеличению диаметра монокристалла и скорости выращивания. Однако при высокой скорости выращивания кристалла увеличивается количество захваченных примесей. [6]
На основании этих ре зультатов было сделано предположение, что процентное содержание моноклинной фазы в охлажденном расплаве определяется скоростью кристаллизации. При скорости вытягивания кристаллов не более 6 мм / час формируется только тетрагональная монофаза. Однако имеется некоторая вероятность образования микровключений моноклинной фазы, которая может быть связана с нестабильностью работы ростовой установки, приводящей к мгновенным колебаниям температуры расплава, а значит, и к колебаниям скорости кристаллизации. Кроме того, если в расплаве имеется ближний порядок, соответствующий моноклинной фазе, то возможно образование микровключений моноклинной фазы даже при гладком фронте кристаллизации путем непосредственного врастания второй фазы в кристалл. [7]
Так как оптимальная скорость вытягивания меняется в зависимости от того, с каким веществом приходится иметь дело, прибор должен иметь приспособления для изменения скорости вытягивания. Точно так же толщина барьера или р-слоя контролируется изменением температуры расплава и скорости вытягивания кристалла. Скорость вращения вытягиваемого кристалла может достигать 150 об / мин, а иногда и больше. Скорость вытягивания также меняется в очень широком интервале-от 0 25 см / час до 10 см / час и более [ 231 - Часто указывают, что большие скорости вращения дают более равномерное распределение введенных примесей и поэтому более однородное сопротивление слитка в радиальном направлении. [8]
Вытягивание кристаллов с периодически изменяющейся во времени скоростью. Указанный метод основан на существующей зависимости количества внедренных в кристалл доноров или акцепторов во время его вытягивания от скорости вытягивания кристаллов. В том случае, если у материала, образующего доноры, эта зависимость от скорости вытягивания значительная, а у акцепторного материала в том же кристалле зависимость слабая, то при быстром вытягивании и при соответствующем подборе концентраций доноров и акцепторов может быть получен полупроводник - типа, а при медленном вытягивании - полупроводник / - типа. Путем периодического изменения скорости вытягивания кристалла можно получить в одном кристалле множество следующих друг за другом р-п переходов. Из этого кристалла вырезаются отдельные диски, каждый из которых содержит р-п переход. Из дисков выпиливаются маленькие пластинки; в таком виде они и применяются в диодах. [9]
 |
Чувствительность в разных точках и спектральная чувствительность фотодиода р-п ( типа ТР50.| Сплавной плоскостной транзистор.| Конструкция и характеристика фотодиода ( типа ТР50. [10] |
Тянутые транзисторы получают путем медленного вытягивания монокристалла из расплава, в который последовательно вводят примеси донорные и акцепторные; при этом а монокристалле получаются зоны с разными типами проводимости. При изготовлении ступенчато-тянутых транзисторов в расплаве находятся одновременно определенным образом подобранные доноры и акцепторы. Необходимое чередование слоев с различной проводимостью достигается путем1 изменения скорости вытягивания кристалла из расплава. [11]
Тепловая защита тигля была выполнена из керамики окиси алюминия. Скорости вытягивания кристалла составляли 2 н - 6 мм / ч, скорости вращения были 40 - г - ь 60 об / мин. [12]
Вытягиванием из расплава пользуются при изготовлении р - - переходов для фотодиодов ( и фототриодов), засветка которых осуществляется параллельно плоскости перехода. Этот метод основан на том, что соотношение между концентрацией примеси в твердой фазе и концентрацией ее в расплаве, находящемся в равновесии с твердой фазой, для акцепторных примесей практически не зависит от скорости выращивания кристалла по методу Чохральского. Для донорных примесей это соотношение существенно зависит от скорости. Регулируя скорость вытягивания кристалла из расплава, содержащего донорную и акцепторную примеси, обеспечивают тот или иной тип проводимости в различных сечениях по длине слитка. [13]
Вытягивание кристаллов с периодически изменяющейся во времени скоростью. Указанный метод основан на существующей зависимости количества внедренных в кристалл доноров или акцепторов во время его вытягивания от скорости вытягивания кристаллов. В том случае, если у материала, образующего доноры, эта зависимость от скорости вытягивания значительная, а у акцепторного материала в том же кристалле зависимость слабая, то при быстром вытягивании и при соответствующем подборе концентраций доноров и акцепторов может быть получен полупроводник - типа, а при медленном вытягивании - полупроводник / - типа. Путем периодического изменения скорости вытягивания кристалла можно получить в одном кристалле множество следующих друг за другом р-п переходов. Из этого кристалла вырезаются отдельные диски, каждый из которых содержит р-п переход. Из дисков выпиливаются маленькие пластинки; в таком виде они и применяются в диодах. [14]
Страницы: 1