Мощный полупроводниковый диод

Cтраница 1

Мощные полупроводниковые диоды изготовляются обычно из кремния, так как он обеспечивает более высокую теплостойкость, более высокие пробивные напряжения и меньшие обратные токи по сравнению с германием. [1]

Физические процессы в мощных полупроводниковых диодах в принципе не отличаются от тех, которые описывались в § 1.4 при рассмотрении маломощных полупроводниковых диодов. Поэтому рассмотрим только те конструктивные особенности и отличия в электрических свойствах, которые определяют высокую нагрузочную способность мощных диодов, а также возможности их параллельного и последовательного включения. [2]

К таким приборам относятся мощные полупроводниковые диоды и тиристоры, а также мощные ионные приборы с ртутным катодом - ртутные вентили. [3]

Современной промышленностью освоен выпуск мощных полупроводниковых диодов на токи до 1250 А и обратные напряжения до нескольких киловольт, что позволяет создавать выпрямительные установки большой мощности. [4]

Вентилем в электронике принято называть мощный полупроводниковый диод, предназначевный для выпрямления переменного тока. [5]

Недопустим изгиб жестких выводов у мощных полупроводниковых диодов, так как это неизбежно приводит к появлению трещин в стеклянных изоляторах. [6]

Оольших габаритов ( например, силовые трансформаторы, радиаторы мощных полупроводниковых диодов, громкоговорители) размещают вне платы и присоединяют к ней жгутами из монтажного провода со специальными разъемами. [7]

В сварочных аппаратах постоянного тока используются силовые выпрямительные блоки на базе мощных полупроводниковых диодов. [8]

Приводятся справочные данные по электрическим параметрам, эксплуатационным характеристикам и зависимостям параметров от режимов использования мощных полупроводниковых диодов. Даются основные области их применения в электронной аппаратуре. [9]

Вентили в таких выпрямителях - мощные полупроводниковые диоды ( ранее ионные) с очень малым сопротивлением гпр - порядка долей Ом. [10]

Транзистор. Транзисторы. Транзи. [11]

На рис. 5.31 показан примерный зид вольтамперной характеристики юлупроводникового диода. Япр невелико - от долей ома у мощных полупроводниковых диодов до нескольких десятков ом у маломощных диодов. [12]

Однофазная схема и схема Латура всегда работают при емкостной реакции нагрузки. Индуктивно-активная нагрузка применяется при ионных вентилях и мощных полупроводниковых диодах, а также по соображениям использования трансформатора в многофазных ( Пц 3 выпрямителях большой и средней мощностей. Поэтому только при проектировании выпрямителей небольшой мощности с кенотронами и полупроводниковыми диодами ( в схемах двухфазной и Греца, а изредка также и в трехфазной и Ларионова) возможен выбор схем фильтров как с емкостной, так и с индуктивной реакцией. [13]

В аппаратах, где требуются небольшие мощности в цепях постоянного тока, в выпрямителях используют кенотроны и маломощные ионные и полупроводниковые приборы. В мощных выпрямительных установках, обычно называемых преобразовательными подстанциями, используют ртутные вентили и мощные полупроводниковые диоды и тиристоры. [14]

Страницы: 1