Cтраница 4
Сила Рл перпендикулярна скорости движения электронов и направлению магнитного поля ( находится по правилу левой руки с учетом знака электрона) и не меняется по величине. Под действием этой силы электрон будет двигаться по окружности радиуса R, лежащей в плоскости чертежа. [46]
Какова должна быть скорость движения электрона в см / с, чтобы соответствующая ей длина волны составляла 0 1 А. [47]
Сила F перпендикулярна скорости движения электронов и направлению магнитного поля ( находится по правилу левой руки с учетом знака электрона) и не меняется по величине. [48]
Коэффициент пропорциональности ш характеризует скорость движения электрона при единичной напряженности электрического поля и называется абсолютной скоростью движения. [49]
& 10 10 м скорость движения электрона оказывается равной - - 10в м / сек. [50]
Под действием этого поля скорость движения электронов значительно возрастает. Кроме этого, изменяются несколько и траектории полета электронов. Нетрудно видеть, что на первой половине пути между управляющим электродом и анодом 7 пучок электронов сжимается под действием сил поля, а на второй половине этого пути поле отклоняет направление движения электронов от оси трубки. В результате электроны поступают в отверстие анода 7 слегка расходящимся пучком. [51]
Поэтому в этом случае скорость движения электронов определяется только ускоряющим действием поля и фактически значительна превышает тепловую скорость. В электронных лампах при анодном напряжении 250 в электроны пролетают пространство между катодом и анодом со скоростью около 9 000 км / сек. Еще значительно быстрее мчатся электроны в телевизионных трубках, где они разгоняются напряжением во много тысяч вольт. [52]
Диагональный элемент vn соответствует скорости движения электрона в зоне, недиагональный элемент vn r - матричному элементу межзонного перехода. [53]
Безынерционность колебаний луча определяется скоростью осеного движения электронов. [54]
Например, в осветительной сети скорость движения электронов составляет 1 - 3 мм / сек. [55]
![]() |
Тиратрон и его условное обозначение. [56] |
При критическом сеточном напряжении 11Л скорость движения электрона становится достаточной для ионизации газа и происходит зажигание дуги и образование плазмы. [57]
Скорость движения тяжелых ионов меньше скорости движения электронов; из разрядного промежутка в единицу времени уходит больше электронов, чем ионов, и в приборе образуется пространственный положительный заряд. Результирующий ток через прибор слагается из электронной и ионной составляющих, так как разноименные заряды перемещаются во встречных направлениях. [58]