Cтраница 3
Принятое обозначение для точечного триода типа п показано на фиг. Эмиттер в этом символе отличается от коллектора по стрелочке, которая также указывает направление тока эмиттера. Обычно ток эмиттера втекает в триод, а ток коллектора вытекает из него. Поскольку коэф-фициет усиления по току ( а) точечного полупроводникового диода больше единицы, ток базы должен быть направлен к триоду. Для плоскостного р-п - р транзистора предлагается символ, показанный на фиг. В этом случае в связи с тем, что коэффициент усиления по току несколько меньше единицы, ток базы в нормальных условиях должен течь от триода. [31]
Наряду с плоскостными полупроводниковыми диодами в радиоэлектронике широко применяются точечные полупроводниковые диоды. Обычно для надежности точечного контакта осуществляется электрическая сварка металла с полупроводником. В результате сварки на границе раздела образуется р - / г-переход в виде полусферы, имеющей очень малую площадь. Следовательно, точечный полупроводниковый диод также имеет плоскостной р - - переход. В отличие от плоскостного диода в точечном диоде этот переход находится не в глубине полупроводника, а вблизи его поверхности. Особенностью точечного диода является также малое отношение площади перехода к периметру, ограничивающему эту площадь. [32]