Cтраница 1
Хаотическая скорость направлена то по полю, то против поля, и поэтому среднее значение вектора и равно нулю. [1]
Большие хаотические скорости электронов в металлах, чем в полупроводниках, согласно формуле (1.26) при равных условиях обусловливают у первых меньшие величины подвижностей. [2]
Конечное значение хаотической скорости следует из уравнения (4.20) и составляет с001 5 - 10а см / сек или - 4 эв. Конечная скорость дрейфа vd получается из выражения (4.22); она равна около 2 - Ю6 см сек и составляет меньше 2 % конечной хаотической скорости сж. [3]
При комнатной температуре средняя хаотическая скорость свободных электронов в невырожденном полупроводнике ( и в изоляторе, если они там существуют) составляет 107 см / сек. [4]
Пробег электрона совершается с огромной хаотической скоростью электрона. [5]
Обозначим через vr, vv компоненты хаотических скоростей частиц ( в цилиндрической системе координат г, р, z; oz0) и ограничимся рассмотрением систем с орбитами, которые в среднем не сильно отличаются от круговых. [6]
Молекулы холодного быстро движущегося бейсбольного мячика наряду с хаотической скоростью обладают еще скоростью направленного движения, одинаковой для всех молекул, которая характеризует энергию движения мячика как целого, а не его внутреннее состояние. [7]
Подобным образом решается и вопрос о влиянии на джинсовскую неустойчивость хаотических скоростей частиц в бесстолкновительноц ( звездной) системе. [8]
Молекулы холодного, но быстро движущегося бейсбольного мячика наряду с хаотической скоростью обладают еще и скоростью направленного движения, одинаковой для всех молекул, которая характеризует энергию движения мячика как целого, а не его внутреннее состояние. [9]
Если газ сильно разрежен, то столкновения молекул между собой и с поверхностью тела настолько редки, что реэмитируе-мые поверхностью молекулы практически не возмущают набегающий на тело невозмущенный поток газа и не нарушают мак-свелловского распределения хаотических скоростей ( и, v, w) молекул в этом газе. [10]
![]() |
К определению силы давления газа на стенку при молекулярном течении. [11] |
Еслп газ сильно разрежен, то столкновения молекул между собой и с поверхностью тела настолько редки, что реэмитируе-мые поверхностью молекулы практически не возмущают набегающий на тело невозмущенный поток газа и не нарушают мак-свелловского распределения хаотических скоростей ( и, v, w) молекул в этом газе. [12]
Сила сопротивления, действующая на отдельную аэрозольную частицу, в основном возникает в результате различия скоростей частицы и обтекающего ее потока. Поэтому хаотическая скорость каждой частицы, обусловленная тепловым движением ее молекул, крайне мала. [13]
Но можно себе представить, что с увеличением напряженности поля изменение абсолютной величины скорости, происходящее на участке свободного пробега электрона, станет, при достаточно больших полях, сравнимо с величиной скорости в начале этого участка. Увеличение средней хаотической скорости электронов означает, в сущности, увеличение их сродней тепловой энергии, которая может быть измерена в градусах температурной шкалы. Таким образом мы приходим к выводу, что в электрическом ноле достаточной напряженности стационарная температура электронного газа может заметно превысить температуру кристаллической решетки. [14]
В этих работах отмечалось, что температура а-частиц превосходит температуру протонов примерно в 4 раза. Эти данные говорят о том, что хаотические скорости ионов составляют некоторую долю от их направленной скорости, причем ионы с разными массами имеют одинаковые тепловые скорости, а не энергии. Таким образом, имеет место некоторый турбулентный режим, а не обычное тепловое равновесие. [15]