Критическая скорость - нарастание
Cтраница 1
 |
Применение симистора в качестве бесконтактного ключа переменного тока.| Применение симистора в схеме фазового управления. [1] |
Типичная критическая скорость нарастания для симисторов лежит в диапазоне 5 - 20 В / мкс. [2]
 |
Применение симистора в качестве бесконтактного ключа переменного тока.| Применение симистора в схеме фазового управления. [3] |
Критическая скорость нарастания коммутирующего напряжения ( du / dt) - максимальная скорость нарастания напряжения, прикладываемого к симистору в направлении, противоположном направлению протекающего тока, при которой не происходит включения симистора. [4]
К важнейшим динамическим параметрам тиристора относится величина ( di / dt) max - критическая скорость нарастания анодного тока при включении тиристора. При превышении допустимого значения ( di / dt) max возможен перегрев отдельных участков полупроводниковой структуры и тепловое проплавление перехода; обычно ( di / d /) max 104 - 100 А / мкс, но у специальных быстродействующих или импульсных тиристоров ( dt / dOmax доходит до 500 - 1000 А / мкс. [5]
К важнейшим динамическим параметрам тиристора относится величина ( di / dt) max - критическая скорость нарастания анодного тока при включении тиристора. При превышении допустимого значения difdt) max возможен перегрев отдельных участков полупроводниковой структуры и тепловое проплавление перехода; обычно ( Ai. А / мкс, но у специальных быстродействующих или импульсных тиристоров ( di / dt) max доходит до 500 - 1000 А / мкс. [6]
 |
Кривые тока ( а и напряжения ( б при выключении тиристора приложением обратного напряжения. [7] |
Для симистора индуктивность цепи нагрузки не должна быть слишком большой, чтобы не была превышена критическая скорость нарастания коммутируемого напряжения непосредственно после изменения его полярности. [8]
 |
Диаграммы основного тока симистора при частоте основного напряжения.| Зависимость основного тока снмистора от критической частоты.| Включение симистора на активно-индуктивную нагрузку 272. [9] |
Стойкость симистора к du / dt характеризуют для двух направлений тока и различают критическую скорость нарастания прямого напряжения и критическую скорость нарастания коммутирующего напряжения. [10]
Указываются: слово тиристор; тип; класс в зависимости от повторяющегося напряжения; группы тиристора: по критической скорости нарастания прямого напряжения, по времени выключения, по критической скорости нарастания прямого тока. [11]
Например тип Т200Х - 12 - 332 1 7 - 1 8 означает тиристор с воздушным охлаждением первого конструктивного исполнения на предельный ток 200 А, обратной полярности, повторяющееся напряжение 1200 В, с критической скоростью нарастания прямого напряжения 50 В / мкс, временем выключения до 100 мкс и критической скоростью нарастания прямого тока 50 А / мкс. [12]
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии ( dir / dt) cTit - максимально допустимое значение скорости нарастания тока через прибор, не вызывающее необратимых процессов в р-п структуре и связанного с ними ухудшения электрических параметров. Критическая скорость нарастания прямого тока повышается с ростом амплитуды тока управления. Она может быть повышена при использовании конструкции разветвленного управляющего электрода; при этом расширяется зона первоначального включения. [13]
 |
Схемы четырехслойных структур ( а и б и продольные разрезы тиристоров таблеточного ( в и с односторонним отводом тепла, штыревой конструкции ( г. [14] |
При большой скорости нарастания тока, особенно при разрядке коммутирующих емкостей, могут возникать чрезмерные местные плотности тока, вызывающие нагрев и повреждение перехода. Поэтому ГОСТ 14069 - 72 для каждой группы тиристора устанавливается критическая скорость нарастания прямого напряжения Ды / Д / при максимально допустимой температуре структуры и напряжении, равном 0 67 повторяющегося, и критическая скорость нарастания прямого тока Дг / Дг. [15]
Страницы: 1 2