Критическая скорость - нарастание - напряжение
Cтраница 1
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии ( duD / dt) crit - максимально допустимая скорость нарастания прямого напряжения, при которой не происходит переключения прибора при напряжении, равном 67 % напряжения класса, и разомкнутой цепи управления. [1]
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии ldu3C dt) Kp - наибольшее значение скорости нарастания прямого напряжения, жоторое не вызывает переключение прибора из закрытого состояния в открытое. [2]
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии ( duD / dt) crit - это наибольшее значение скорости нарастания напряжения, которое в определенных условиях не вызывает переключения тиристора из закрытого состояния в открытое. Начальное напряжение на тиристоре нулевое. Вывод управляющего электрода разомкнут, однако допускается, если это оговорено в стандартах на конкретные типы тиристоров, соединять управляющий вывод с катодом тиристора через резистор с определенным значением сопротивления. [3]
 |
К пояснению за-висимости критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии от предварительного смещения в цепи анод - катод. [4] |
Повышение критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии при предварительном смещении в цепи анод-катод объясняется следующим образом. [5]
Это и приводит к увеличению критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии с ростом предварительного смещения в прямом направлении. Более того, при некотором предварительном смещении плотность вносимого заряда электронов в базу п становится в точности равной плотности критического заряда включения тиристора. Критическая скорость нарастания напряжения при этом становится бесконечно большой и перестает зависеть от дальнейшего роста предварительного смещения в прямом направлении. [6]
Подразделение тиристоров данного типа и класса на группы проводится по значениям критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии, времени выключения и времени включения. Определение термина критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии будет дано в следующем параграфе. Подразделение на группы по времени выключения проводится для быстродействующих и быстровыключающихся тиристоров, а подразделение на группы по времени включения - для быстродействующих и быстровключающих-ся тиристоров. [7]
В справочных данных тринисторов, предназначенных для импульсного режима работы, указывается критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии ( например, для приборов типа КУ203 она составляет 20 В / мкс, для приборов типа КУ216 50 В / мкс), которая не должна превышаться при использовании приборов. [8]
Более низкие значения максимально допустимых температур переходов для тиристоров связаны с резким уменьшением напряжения переключения и критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии и с увеличением времени выключения в результате дальнейшего роста температуры перехода. [9]
 |
Характер зависимости напряжения переключения от скорости нара. [10] |
Величина dua / dt, при которой про - 7 исходит переключение тиристора, при напряжении а нем, 0в равном напряжению класса, называется критической скоростью нарастания напряжения на тиристоре. [11]
Подразделение тиристоров данного типа и класса на группы проводится по значениям критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии, времени выключения и времени включения. Определение термина критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии будет дано в следующем параграфе. Подразделение на группы по времени выключения проводится для быстродействующих и быстровыключающихся тиристоров, а подразделение на группы по времени включения - для быстродействующих и быстровключающих-ся тиристоров. [12]
Входной контроль тиристоров в целях отбора приборов, обладающих повышенной помехоустойчивостью, возможен, как следует из (3.78), прежде всего по трем параметрам: емкости центрального перехода С и параметрам критического заряда / у ст и такл. Выбор тиристоров с максимальной группой по критической скорости нарастания напряжения практически гарантирует минимальное значение емкости С для данного типа приборов. Разброс по т кл обычно относительно невелик, в то время как различие в значениях статического тока управления может составлять два порядка величины и более. Поэтому входной контроль тиристоров по статическому току управления позволяет существенно повысить помехоустойчивость тиристоров. Кроме того, как уже отмечалось, в низковольтных схемах воздействие эффекта dU / dt на тиристоры с высоким значением / У Ст практически отсутствует; снижается также и влияние эффекта локализации энергии в таких приборах. [13]
Параметр, обозначающий скорость нарастания напряжения в прямом направлении, при которой тиристор не переходит в проводящее состояние. Максимальная скорость нарастания напряжения без переключения тиристора называется критической скоростью нарастания напряжения. Как только скорость нарастания напряжения превышает критическое значение скорости нарастания напряжения, тиристор переходит в проводящее состояние. В обедненном слое / ья-перехода У2 тиристора образуется конденсатор емкостью С. Тогда емкостной ток / с, протекающий через р-п - переход У2, можно записать как / С dv / dt, где dv / dt - значение скорости нарастания напряжения. [14]
Это и приводит к увеличению критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии с ростом предварительного смещения в прямом направлении. Более того, при некотором предварительном смещении плотность вносимого заряда электронов в базу п становится в точности равной плотности критического заряда включения тиристора. Критическая скорость нарастания напряжения при этом становится бесконечно большой и перестает зависеть от дальнейшего роста предварительного смещения в прямом направлении. [15]
Страницы: 1 2