Обычно полупроводниковый диод

Cтраница 1

Обычно полупроводниковые диоды имеют несимметричные р-га-переходы. В соответствии с общим определением ( см. § 2.2) область полупроводникового диода, в которую происходит ин-жекция неосновных для этой области носителей заряда, называют базой диода. Итак, в диоде базовой областью является слаболегированная область. [1]

Структура полупроводниковых диодов. [2]

Обычно полупроводниковые диоды имеют несимметричные электронно-дырочные переходы. Поэтому при прямом включении диода количество неосновных носителей, инжектированных из сильнолегированной области в слаболегированную область, значительно больше, чем количество неосновных носителей, проходящих в противоположном направлении. [3]

Обычно полупроводниковые диоды не допускают кратковременной перегрузки по обратному напряжению, так как лавинообразное увеличение тока происходит на очень небольшом участке p - n - перехода. На этом участке выделяется большое количество тепла, происходит местный разогрев и тепловой пробой перехода в этом месте. [4]

Обычно полупроводниковые диоды имеют несимметричные р - - переходы. В соответствии с общим определением ( см. § 2.2) область полупроводникового диода, в которую происходит ин-жекция неосновных для этой области носителей заряда, называют базой диода. Итак, в диоде базовой областью является слаболегированная область. [5]

Чтобы избежать появления прямых токов через транзистор, приходится в его коллекторную цепь включать вентиль ( обычно полупроводниковый диод) так, чтобы ток протекал только в управляемом направлении. В результате в транзисторных схемах осуществляется питание цепей коллектора пульсирующим, а не переменным напряжением с применением однополупериодных или даже двух-полупериодных выпрямителей. [6]

Работа выпрямителя ( вентильной группы) основана на свойствах вентилей - нелинейных двухполюсников, пропускающих ток преимущественно в одном ( прямом) направлении. В качестве вентилей используют обычно полупроводниковые диоды. [7]

На входе оконечного оборудования устанавливается частотны демодулятор, выполняемый в виде дискриминатора на расстроен ных контурах. В качестве детектирующих элементов в нем ис пользуются обычно полупроводниковые диоды. [8]

По характеру применяемых в преобразователях нелинейных элементов преобразователи подразделяются на пассивные и активные. Пассивными называются преобразователи, которые содержат пассивные нелинейные элементы - обычно полупроводниковые диоды. Активными называются преобразователи, в которых применяются активные элементы, главным образом транзисторы. [9]

Перенос энергии электромагнитными волнами может происходить либо в неограниченном ( свободном) пространстве, либо в ограниченной части пространства. Последнее соответствует случаю каналиро-вания энергии. Каналирование электромагнитной энергии может быть обеспечено ограничением части пространства металлическими поверхностями, например использованием металлических труб круглого или прямоугольного сечения, получивших название волноводов. Индикатором электромагнитного поля СВЧ служит детектор - обычно полупроводниковый диод. Ток, возникающий в детекторе, пропорционален квадрату амплитуды напряженности электрического поля электромагнитной волны. [10]

Страницы: 1