Закрытый диод

Cтраница 2

Схематическое изображение биполярного транзистора. [16]

Иначе говоря, резко возрастает обратный ток нормально закрытого диода, и величина этого тока будет зависеть не от напряжения на диоде ( коллекторном переходе), а от величины эмиттерного тока. [17]

Как следует из принципа работы схемы, к закрытому диоду в непроводящую часть периода приложена разность фазных напряжений. [18]

Недостатками схемы являются большое обратное напряжение, падающее на закрытом диоде, и невозможность использования ее без трансформатора. Причем вторичная обмотка трансформатора должна быть симметричной с идеальным выводом средней точки. При несимметрии на нагрузке появляется первая гармоника тока. [19]

Линейный ТТ с нелинейной нагрузкой в виде активного сопротивления, включенного через два опорных диода. [20]

Вторичное напряжение, как и в предыдущей схеме, при закрытом диоде равно напряжению холостого хода, получаемому при разомкнутой вторичной обмотке. [21]

Максимальное число входов ( п) ограничено влиянием емкостей и обратного сопротивления закрытых диодов. Действительно, емкости и обратное сопротивление закрытых диодов оказываются подключенными через генераторы входных напряжений параллельно выходу схемы. Поэтому увеличение п приводит, с одной стороны, к росту общей выходной емкости схемы и, следовательно, к снижению быстродействия элемента. С другой стороны, шунтирование выхода обратными сопротивлениями закрытых диодов приводит к уменьшению амплитуды выходного перепада. Поэтому рост п вызывает увеличение затухания сигнала в элементе. Следует, однако, отметить, что при использовании кремниевых диодов с малым обратным током и, следовательно, с большим обратным сопротивлением, увеличение ограничено лишь первым фактором-снижением быстродействия. [22]

Одним из основных недостатков схемы является то, что обратные напряжения на закрытых диодах в два раза больше, чем в мостовом выпрямителе. [23]

Этот ток заряжает емкость С, которая в паузах между импульсами тока ( при закрытом диоде) разряжается через сопротивление R. Однако разряд емкости получается незначительным, поскольку сопротивление R велико, а импульсы повторяются с высокой частотой. Поэтому емкость, не успевая существенно разрядиться, подзаряжается каждым последующим импульсом до соответствующего напряжения и. [24]

Схема сравнения двух электрических величин по фазе, основанная на сопоставлении времени совпадения с заданным. [25]

Диод Mi необходим, для того чтобы обратное напряжение в этом режиме было приложено к закрытым диодам, а не к триоду. [26]

Значительную часть шумов ( 85 % в данном примере) могут составлять шумы смесителя при закрытом диоде и среди них - шумы, обусловленные токами утечки. Эти составляющие не зависят непосредственно от полосы пропускания осциллографа. [27]

Диод Д ] предназначен для того, чтобы обратное напряжение в рассмотренном режиме было приложено к закрытым диодам, а не к транзистору, который на это не рассчитан. Сопротивление R служит для ограничения тока разряда конденсатора значением, допустимым для транзистора. [28]

В линейных вольтметрах средневыпрямленного значения без предварительного усиления большое влияние на частотную погрешность оказывают барьерные емкости р-п переходов закрытых диодов, так как с ростом частоты их сопротивление резко уменьшается Поэтому рабочий диапазон простейших вольтметров ограничивается сотнями килогерц. [29]

Сяг, - усредненная входная емкость транзистора; Ск - емкость коллекторного перехода; Сд - усредненная емкость закрытого диода, R v Rv r; r § - объемное сопротивление базы; / о - начальный ток диода; т - поправочный коэффициент, определяемый типом диода. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5