Относительная скорость - рост
Cтраница 1
Относительная скорость роста уже не остается построенной, а оказывается линейной функцией. [1]
Относительные скорости роста различных кристаллографических граней часто зависят от того, какие атомы адсорбированы на данной грани. Таким образом, скорости роста могут сильно зависеть от примесных ионов и от рН среды. Подобным же образом морфология и совершенство кристаллов очень чувствительны к примесям. Это особенно относится к таким методам выращивания, как рост из водных растворов, который происходит при сравнительно невысоких температурах, когда адсорбция и хемосорбция происходят сравнительно легко. [2]
На относительные скорости роста и обрыва молекулярной цепи могут оказывать влияние различные факторы: природа лиган-дов, природа и степень окисления переходного металла, условия проведения реакции. [3]
 |
Зависимость леиа ( 2.| Зависимость логарифма Удельной скорости роста алмаза нз ацетилена ( / и ( 2 от обратной температуры. [4] |
Сопоставление относительных скоростей роста алмаза в зависи - мости от разбавления водородом при парциальном давлении углеводорода 0 06 мм рт. ст. и температуре 950 С показывает ( рис. 36), что наибольшее влияние разбавление водорода оказывает на эти-и наименьшее - на метан. Однако нельзя утверждать, что зависимости являются одинаковыми для всех условий. [5]
Сравнение кривых относительной скорости роста для организмов, выросших или выращенных в различных условиях, ясно показывает, какие условия наиболее благоприятны для быстрого роста и для роста на протяжении длительного периода времени. [7]
Аналогичный анализ относительных скоростей роста граней с малыми индексами Миллера кристаллов со структурой сфалерита оказывается несколько сложнее, ввиду того что имеется два сорта атомов и оси 111 являются полярными. [8]
Следовательно, и относительные скорости роста и растворения будут равны единице, а поэтому рекристаллизация наблюдаться не будет. В этом случае сколько бы ни подвергалась дисперсная система периодическому колебанию концентрации или температуры межкристального раствора, изменения дисперсности не произойдет, так как и мелкие, и крупные кристаллы растворяются ( и растут) с одинаковой линейной скоростью. Поэтому вопрос о том, какой степени АС пропорциональна абсолютная скорость роста или растворения кристаллов в кинетической области для процесса рекристаллизации по колебательному механизму, не имеет принципиального значения. [9]
В этом случае относительная скорость роста f линейно зависит от у, причем, чем больше у, тем меньше эта скорость. [10]
В работе ПО относительная скорость роста / i определяется по уравнению Михаэлиса-Моио. Действительно, подставляя в него выражение для, получим, что при S0 qb 0, т.е. субстрат продолжает расходоваться даже тогда, когда он полностью исчерпан. [11]
 |
Нормальное ( верхний кристалл и вырожденное развитие плоскости базиса. Для верхнего кристалла скорости роста R и г равны, вследствие чего грани R и г равны по площади. [12] |
Поэтому значительные изменения относительных скоростей роста обычно имеют место для комбинации устойчивая грань - неустойчивая поверхность роста. Если такие плоскости в силу геометрических факторов могут оказаться смежными, то условию существования неустойчивой грани к, смежной с устойчивой гранью /, будет отвечать неравенство VK VI. Видимо, поэтому поверхность базиса проявляет большую устойчивость в растворах, характеризующихся повышенным температурным коэффициентом растворимости кварца. [13]
 |
Нормальное ( верхний кристалл и вырожденное развитие плоскости базиса. Для верхнего кристалла скорости роста R и г равны, вследствие чего грани R и т равны по площади. [14] |
Поэтому значительные изменения относительных скоростей роста обычно имеют место для комбинации устойчивая грань - неустойчивая поверхность роста. Видимо, поэтому поверхность базиса проявляет большую устойчивость в растворах, характеризующихся повышенным температурным коэффициентом растворимости кварца. [15]
Страницы: 1 2 3 4