Охранный диод
Cтраница 2
 |
Схемы логических расширителей по И ( а и по ИЛИ ( б.| Микросхема И-ИЛИ-НЕ. [16] |
Нагрузочная способность логических ИМС на МДП-тран-зисторах лимитируется их быстродействием. В стационарном режиме ИМС на МДП-структурах способны обеспечивать нормальную работу значительного числа логических элементов, так как для их управления требуется затратить пренебрежимо малую мощность. Это объясняется высоким входным сопротивлением МДП-транзисторов. Это связано с необходимостью шунтирования затворов входных транзисторов охранными диодами, при помощи которых предотвращают пробой диэлектрика затвора под действием электростатического заряда. Однако и с учетом потребления мощности охранными диодами ( представляющими собой р-и-переходы, смещенные в обратном направлении) нагрузочная способность МДП-логических ИМС ограничивается требуемым быстродействием. [17]
Нагрузочная способность логических ИМС на МДП-тран-зисторах лимитируется их быстродействием. В стационарном режиме ИМС на МДП-структурах способны обеспечивать нормальную работу значительного числа логических элементов, так как для их управления требуется затратить пренебрежимо малую мощность. Это объясняется высоким входным сопротивлением МДП-транзисторов. Это связано с необходимостью шунтирования затворов входных транзисторов охранными диодами, при помощи которых предотвращают пробой диэлектрика затвора под действием электростатического заряда. Однако и с учетом потребления мощности охранными диодами ( представляющими собой р-и-переходы, смещенные в обратном направлении) нагрузочная способность МДП-логических ИМС ограничивается требуемым быстродействием. [18]
Страницы: 1 2