Cтраница 1
Сладек интерпретировал появления этого дополнительного сопротивления как возрастание WtJII, вызванное уменьшением среднего свободного пробега фононов в нормальных областях по сравнению со сверхпроводящими. Такой механизм почти одинаково эффективен при любом направлении границы по отношению к потоку, и дополнительное сопротивление не должно поэтому зависеть от направления поля, что согласуется с наблюдениями Сладека. [1]
Сладек интерпретировал появления этого дополнительного сопротивления как возрастание Wgs, вызванное уменьшением среднего свободного пробега фононов в нормальных областях по сравнению со сверхпроводящими. Такой механизм почти одинаково эффективен при любом направлении границы по отношению к потоку, и дополнительное сопротивление не должно поэтому зависеть от направления поля, что согласуется с наблюдениями Сладека. [2]
Недавно Сладек [323] разработал общую корреляцию для коэффициента поверхностной диффузии, с помощью которой ему удалось объединить данные и по физической адсорбции, и по хемосорбции для весьма разнообразных систем. [3]
Хаслет и Лав [63] продолжили измерения Сладека в области более высоких магнитных полей и показали, что для полной ионизации образцов с концентрацией доноров Ю15 см-3 необходимо поле 100000 эрстед. [4]
Аналогичный результат был получен Халмом [92] и Сладеком [145] для индия. Однако во всех случаях было обнаружено, что функция / возрастает значительно быстрее с температурой непосредственно ниже Ткр. [5]
Аналогичный результат был получен Халмом [92] и Сладеком [ 14о ] для индия. [6]
Диксон [26], Фриче ( данные приведены в работе [60]) и Сладек [87] изучили поведение InAs при комнатной температуре. Диксон установил, что в прошедшем термообработку InAs р-типа при 4 К существует проводимость, обусловленная примесной зоной, причем подвижность равна 3 см2 / в сек. Из экспериментов Фриче на InAs л-типа с концентрацией доноров 1 6 - 1016 слг3 следует, что RH почти постоянен от комнатной температуры до 1 5 К, а подвижность равна 30000 см2 / в-сек в пределах от 10 до 1 3 К. [7]
Имеется также ряд наблюдений аномального возрастания теплосопро-тивлепия в продольных полях, которые также по могут быть объяснены рассеянием электронов, таковы, например, измерения Сладека [145] на сплавах индий-таллий, а также некоторые ранние измерения Мендельсона и Олсена [132] на сплавах свинец-висмут. [8]
Имеется также ряд наблюдений аномального возрастания теплосопро-тивления в продольных полях, которые также не могут быть объяснены рассеянием электронов, таковы, например, измерения Сладека [145] на сплавах индий-таллий, а также некоторые ранние измерения Мендельсона и Олсена [132] на сплавах свинец-висмут. [9]
Сладек интерпретировал появления этого дополнительного сопротивления как возрастание WtJII, вызванное уменьшением среднего свободного пробега фононов в нормальных областях по сравнению со сверхпроводящими. Такой механизм почти одинаково эффективен при любом направлении границы по отношению к потоку, и дополнительное сопротивление не должно поэтому зависеть от направления поля, что согласуется с наблюдениями Сладека. [10]
Сладек интерпретировал появления этого дополнительного сопротивления как возрастание Wgs, вызванное уменьшением среднего свободного пробега фононов в нормальных областях по сравнению со сверхпроводящими. Такой механизм почти одинаково эффективен при любом направлении границы по отношению к потоку, и дополнительное сопротивление не должно поэтому зависеть от направления поля, что согласуется с наблюдениями Сладека. [11]
Мембранные фильтры, используемые для определения жизнеспособности, могут сильно различаться между собой. Существование больших пор и ячеек на мембранной поверхности и под ней, на которой собираются бактерии, приводит к повышению объема питательной среды, что обусловливает увеличение способности каждой бактерии к выживанию и перерастанию в колонию. Это явление Сладеком [11] названо вскармливанием. Даже незначительные различия в природе бактерий, растительной среде, агентах, пропитывающих фильтр, могут также сильно влиять на характеристики колоний ( однородность, форма, размер), на фоновый цвет самой мембраны и на конечный результат определения. [12]
Под действием давления смещаются не только энергетические зоны, но и примесные уровни, связанные с каждой из этих зон. В легированном прямозонном ( k0) полупроводнике - типа давление может сместить минимум Г, так что он окажется выше уровня донора, связанного с одной из более высоко расположенных зон. Это может иметь место, даже несмотря на то, что связанный с этими уровнями минимум зоны проводимости остается выше Г - минимума По мере увеличения давления электроны из минимума Г будут все больше переходить на указанный донорный уровень и будет наблюдаться соответствующее увеличение удельного сопротивления. Этот эффект был впервые предложен Полом [560] для объяснения результатов, полученных Сладеком [672] на GaAs - типа. [13]