Cтраница 1
Слитки кремния не должны иметь сколов, трещин и раковин размг1 более 3 мм. Допускается механическая обработка слитков. [1]
Слитки кремния не должны иметь сколов, трещин и раковин размг-более 3 мм. Допускается механическая обработка слитков. [2]
Слитки кремния механически обрабатываются. [3]
Слитки кремния бракуются по контролируемым и гарантируемым параметрам ( кроме содержания кислорода) и подлежат замене, если результаты измерения параметров отличаются от указанных в ТУ 48 - 4 - 294 - 74 более чем на погрешность измерения, установленную методикой испытаний. [4]
Слитки кремния не имеют внешних дефектов, обнаруживаемых при визуальном осмотре ( сколов, раковин и трещин размером более Змм), и раковин, обнаруживаемых при резке слитков. [5]
Кроме приведенных величин, слитки кремния различаются геометрическими разме - рами. [6]
На станке для алмазной резки слитки кремния / г-типа проводимости с удельным сопротивлени-ем р 1 - 4 ом-см разрезают на пластины. Пластины шлифуют микропорошком М5 и травят в смеси плавиковой и азотной кислот до получения полированной поверхности. [7]
Плотность дислокаций в монокристаллических слитках кремния ( ГОСТ 19658 - 81) менее 10 см2, что позволяет считать их бездислокационными. Слитки кремния легируют бором ( Б), создающим дырочный тип электропроводимости, фосфором ( Ф) или сурьмой ( С), создающими электронный тип электропроводимости. [8]
Предельное отклонение плоскости торцового среза монокристаллических слитков от плоскости ориентации не должно превышать 3 Номинальные диаметры слитков 62 5, 78 513 и 102 51, мм. Слитки кремния с удельным электрическим сопротивлением более 0 03 Ом - м должны иметь время жизни неравновесных носителей заряда: для электронного типа электрической проводимости - не менее 7 5 мкс, для дырочного - не менее 2 5 мкс. [9]
С целью математического обоснования расчетного коэффициента были подвергнуты статистическому анализу на точность и настроенность в условиях производства четыре станка. На них резались слитки кремния на пластины толщиной 580 - 630 мкм. [10]
Процесс выращивания совершенного эпитаксиального слоя требует специфического оборудования и сверхчистых материалов. Эта операция, если не требуется создания скрытых слоев, выполняется на специализированных предприятиях цветной металлургии, изготавливающих слитки кремния и кремниевые подложки. Таким образом, предприятия, изготавливающие полупроводниковые микросхемы, получают кремниевые подложки с уже готовым эпитаксиальным слоем. [11]
Слитки монокристаллического кремния ( ТУ 48 - 4 - 295 - 82), предназначенные для производства полупроводниковых приборов и микросхем, получают методом Чохральского ( К) ( ОКП 17 7211) с ориентацией продольной оси монокристаллического слитка [111], [100] [013] диаметром42i - 102 5 мм и базовой длиной 60 - 150 мм или бестигелыюй зонной плавкой ( БК) ( ОКП 177221) с ориентацией [ 111 [ диаметром 23 - 46 мм и длиной 40 - 70 мм. Концентрация атомов оптически активного кислорода ( No) должна быть не более 1 1023 м - 3 в слитках кремния, полученных бестигельной зонной плавкой, и 7 - Ю23 м - 3 в слитках, полученных методом Чохральского. [12]