Cтраница 1
Поликристаллические слитки и монокристаллы соединений В Х С з, Bi On и Bi ] 2P2O23 были приготовлены медленным охлаждением расплавов и с помощью твердофазных реакций. [1]
![]() |
Температурные зависимости электропроводности ( / и коэффициента Холла ( 2. [2] |
Поликристаллические слитки приготовлялись из Cd ( 99 9999 %) и предварительно очищенного Те методом вакуумной дистилляции, а затем многократной зонной перекристаллизацией до концентрации электрически активных носителей - 1015 см-3 путем совместного сплавления компонент в откачанных до г 10 - 4 торр кварцевых ампулах при соответствующем режиме. [3]
Поликристаллические слитки CuInSe2 и AgInSe2 / г-тши подвергали резке на алмазном диске с внутренней режущей кромкой. [4]
Поликристаллические слитки Cd3Sb2 получают закалкой от 390 С, предварительно выдержав сплав 1 - 2 ч при этой температуре. При длительном хранении поликристаллы Cd 3Sb2 даже при комнатной температуре постепенно превращаются в CdSb и Cd. Кристаллы Cd3Sb2 относятся к тетрагональной сингонии с параметрами решетки: а 11 44 и с 11 35 А. [5]
![]() |
Схема кристал - Повторением этой операции несколько раз уда. [6] |
Первоначально в технике использовались поликристаллические слитки. [7]
Порошок германия при этом спекается в поликристаллические слитки. Германий особой чистоты получают методом зонной плавки. Легированные монокристаллы выращивают методом вытягивания из расплава германия. [8]
Исходным материалом для изготовления полупроводниковых микросхем являются поликристаллические слитки кремния, которые прошли предварительную очистку, но такой материал еще не пригоден для создания полупроводниковых микросхем. Для микросхем используют монокристаллические слитки кремния, которые должны быть однородны по составу и иметь совершенную структуру. [9]
Ни один из методов получения GaP не позволяет изготовить пока больших монокристаллов. Можно делать лишь поликристаллические слитки, и иногда размеры отдельных кристалликов оказываются достаточно большими для изготовления из них образцов, пригодных для измерений или приборов. [10]
![]() |
Режим восстановления двуокиси германия и выдвижения лодочки с германием из печи. [11] |
Применение монокристаллов позволяет обеспечить стандартность электрических свойств германия. Наличие границ зерен в поликристаллических слитках, а также дефекты в кристаллах и механические напряжения влияют на электрические характеристики полупроводников, нарушая направленный поток зарядов через материал. [12]
В настоящее время предприняты попытки получить монокристаллы тугоплавких металлов методом зонной плавки с созданием жидкой зоны электронным пучком. Монокристаллы тугоплавких металлов обладают более высокой пластичностью, чем поликристаллические слитки, и значительно легче деформируются. Однако получаемые зонной плавкой монокристаллы имеют очень небольшие размеры ( их диаметр не превышает 20 - 25 мм), что затрудняет их обработку и ограничивает применение. [13]
Для получения тугоплавких металлов особой чистоты в небольших количествах применяют бестигельную зонную вакуумную плавку с помощью электроннолучевого или индукционного нагрева. Полученные при этом небольшие монокристаллы ниобия и тантала обладают большей пластичностью, чем поликристаллические слитки. [14]
С другой стороны, аллотропная модификация олова, известная под названием серого олова, обладает свойствами полупроводника, с узкой ( немного меньше 0 1 зе) зоной запрещенных энергий. Поскольку это вещество устойчиво лишь при температурах ниже 13 С, то до сих пор удалось получить лишь небольшие монокристаллики; проблема их очистки представляет значительные трудности. Основная часть данных, имеющихся об этом веществе, была получена на порошках и поликристаллических слитках. [15]