Кремниевый точечный диод

Cтраница 1

Вольтамперная характеристика германиевого точечного диода. [1]

Кремниевые точечные диоды в конструктивном отношении почти не отличаются от германиевых. Для них используется кремний с электронным типом электропроводности и удельным сопротивлением 0 03 - й) 08 ом-м. Контактная пружинка покрывается алюминием, что обеспечивает после формовки образование высококачественного электронно-дырочного перехода. [2]

Кремниевые точечные диоды в конструктивном отношении почти не отличаются от германиевых. Для их изготовления используют кремний с электропроводностью n - типа с удельным сопротивлением 3 - 8 Ом - см. Контактная пружина покрывается алюминием, что обеспечивает после формовки образование высококачественного атектронно-дырочного перехода. [3]

Кремниевые точечные диоды применяются в радиотехнических схемах сантиметрового диапазона волн. [4]

Кремниевые точечные диоды типа Д101 - Д106 рассчитаны на работу в высокочастотных устройствах на частотах до 600 Мгц. Кроме диодов, промышленностью выпускаются германиевые и кремниевые триоды. [5]

Предельно допустимые значения токов и н пряжений некоторых типов диодов. [6]

Германиевые и кремниевые точечные диоды по своей конструкции практически не различаются. [7]

Выпускаются также кремниевые точечные диоды Д101 - ДЮЗ и Д104 - ДЮб. Следует заметить, что плоскостные быстродействующие импульсные диоды, в частности Д219, Д220, КД503, могут успешно конкурировать в высокочастотных схемах с точечными диодами. Однако в большинстве случаев для ВЧ устройств по-прежнему применяют точечные диоды. [8]

Выпускаются также кремниевые точечные диоды. [9]

В нем использованы кремниевые точечные диоды с порогом ограничения порядка 0 5 В. [10]

Характеристика стабилитрона ( опорного диода. [11]

Для импульсов меньшей длительности обычно используются кремниевые точечные диоды. [12]

Основные этапы фотолитографии по кремнию. [13]

Открытие усилительного эффекта в полупроводниковом прибор-было предопределено интенсивными исследованиями германиевых i кремниевых точечных диодов в 1943 - 1948 гг., поскольку эти диод. [14]

Зависимость емкости запирающего слоя от напряжения на. [15]

Страницы: 1 2