Слое

Cтраница 1

Слое являются однородными, концентрационной диффузии не происходит. При ах аш из ( X1 - 161) выпадает член в квадратных скобках, а из ( XI-168) первый член, в обоих случаях эти члены обусловлены диссоциацией, следовательно, в этих условиях диссоциация практически не оказывает влияния на теплоотдачу. В уравнении ( X1 - 161) не учитывается влияние степени диссоциации на переносные свойства газовой смеси, например, на число Прандтля, но это не приводит к ощутимым ошибкам, так как это влияние мало. [1]

Слое или одновременно с. [2]

Слое таблеток, более ДО - рис 2 зависимость относительной актив - СТупнсМ ТИОфену. [3]

В слое, отстоящем дальше, анионы 5О - коагулируют коллоидный Ni ( OH) 2 и образуется пленка геля. Эта пленка, играя роль диафрагмы и затрудняя диффузию, увеличивает толщину обедненного слоя у катода, что ведет к тонкозернистости осадка и высокой рассеивающей способности. [4]

В слое б раствор не неподвижен, его скорость в первом приближении линейно возрастает с удалением от поверхности раздела. [5]

В слое 8 раствор не неподвижен, однако скорость его движения в первом приближении линейно возрастает с удалением от поверхности раздела. [6]

Некоторые случаи конвективной диффузии, часто встречающиеся в электрохимической практике. [7]

В слое б раствор не неподвижен, но скорость его движения в первом приближении линейно изменяется с удалением от поверхности. [8]

В слое, занимаемом грунтовой водой, должны быть учтены два дополнительных фактора: 1) снижение давления сыпучего тела от взвешивания его частиц водой и 2) гидростатическое давление воды. [9]

В слое площадью S содержится NS / d2 частиц, где d - расстояние между частицами. [10]

В слое площадью S содержится N S / d2 частиц, где d - расстояние между частицами. [11]

На слое ( рис. 260 6) фотолитографическим методом обозначаются границы области базы; далее с помощью фосфорной кислоты стравливается слой оки-кренниа спрово - си, покрывающий эту область. Так как слой Si02 не пропускает атомы бора, то его атомы могут продиффундировать в полупроводник только через вытравленное окно ( свободное от окиси), где и образуется о. Так как диффузия бора в кремнии происходит изотропно по всем направлениям, то бор распространяется под слоем SiO2 и вниз и в обе стороны. Благодаря этому граница образующегося р - n перехода будет находиться на поверхности кремния в таком месте, которое покрыто защитным слоем окиси кремния. Во время введения бора поверхность области базы покрывается новой ( более тонкой) пленкой окиси, которая постепенно превращается в боросиликатное стекло. В новом окисном слое ( рис. 260 г) тем же фотолитографическим методом вытравливается небольшое окно для эмиттера. [12]

В слое между двумя областями рядом с электронами со спином, направленным вверх, сидят электроны со спином, направленным вниз. Но ферромагнетизм появляется только в тех материалах, для которых энергия уменьшается, когда спины параллельны, а не противоположны. [13]

Представим слое, что точечный источник света помещается в главком фокусе nojiBjii линзы. Если вторая линза расположена вплотную к норной, то параллельный пучок света, выходящий из первой линзы, собирается в главном фокусе второй линзы. [14]

Нагревательный элемент из J. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5